《憶阻電路導論》是2014年5月1日科學出版社出版的圖書，作者是包伯成。
基本介紹
- 中文名：憶阻電路導論
- 作者：包伯成
- 類別：9787030405470，7030405471
- 出版社：科學出版社
- 出版時間：2014年5月1日
- 頁數：152 頁
- 開本：16 開
- 裝幀：平裝
- ISBN：9787030405470
- 正文語種：簡體中文
內容簡介,作者簡介,圖書目錄,
內容簡介
《憶阻電路導論》主要介紹憶阻電路的基本概念、建模分析與仿真實驗，內容包括：憶阻元件與憶阻電路概述，憶阻電路的時域分析、頻域分析與動力學分析，憶阻電路降維建模，記憶元件與記憶系統，荷控憶阻等效分析和憶阻電路映射等效分析等。
作者簡介
包伯成，常州大學信恩科學與工程學院教授，博士，碩導；有近20年的企業工作經驗，長期從事電子通信類產品開發、工程設計與服務等工作；2008年6月進入高校以來，從事高校電路等課程教學與科研工作，主要研究方向為非線性電路與系統、電力電子控制技術和混沌信息動力學系統；主持國家火炬計畫項目、國家自然科學基金面上項目、國家科技型中小企業技術創新基金項目、江蘇省自然科學基金項目等十餘項；獲江蘇省科學技術進步獎三等獎2項，常州市科技進步獎二等獎2項，國家發明專利5項，出版學術專著1部，發表教學與科研論文百餘篇，其中SCI檢索50餘篇。
圖書目錄
前言
第1章 憶阻元件概述 1
1.1 引言 1
1.1.1 基本電路元件 2
1.1.2 理想憶阻的定義 3
1.1.3 憶阻伏安關係 4
1.2 憶阻模型 5
1.2.1 物理器件模型 5
1.2.2 數學理論模型 8
1.3 憶阻的特徵 11
1.3.1 憶阻的一般定義 11
1.3.2 憶阻的本質特徵 12
1.3.3 磁滯回線橫截性 16
1.4 憶阻模型特徵比較 17
第2章 憶阻電路概述 21
2.1 引言 21
2.2 憶阻等效電路 22
2.2.1 憶阻模型電路 22
2.2.2 廣義憶阻電路 25
2.2.3 等效模擬電路 26
2.3 基礎憶阻電路 29
2.3.1 複合憶阻電路 30
2.3.2 簡單憶阻電路 32
2.4 憶阻套用電路 32
2.4.1 憶阻混沌電路 32
2.4.2 憶阻橋突觸電路 35
2.4.3 類正弦憶阻振盪器 37
2.5 小結 40
第3章 憶阻電路時域分析 41
3.1 引言 41
3.2 三次非線性磁控憶阻 41
3.2.1 磁控憶阻模型 42
3.2.2 正弦激勵分析 43
3.2.3 磁控憶阻特徵 44
3.3 並聯憶阻電路時域分析 45
3.3.1 並聯MC電路分析 45
3.3.2 並聯ML電路分析 47
3.4 並聯憶阻電路仿真與實驗 48
3.4.1 磁控憶阻等效電路 48
3.4.2 並聯MC電路驗證 50
3.4.3 並聯ML電路驗證 51
3.5 小結 53
第4章 憶阻電路頻域分析 54
4.1 引言 54
4.2 二次非線性有源磁控憶阻 54
4.2.1 有源磁控憶阻模型 55
4.2.2 有源磁控憶阻特徵 56
4.2.3 有源磁控憶阻等效電路 58
4.2.4 有源磁控憶阻電路仿真 59
4.3 串聯憶阻電路頻域分析 60
4.3.1 憶阻電路頻率特性 61
4.3.2 憶阻電路頻率回響曲線 63
4.3.3 等效電路仿真驗證 64
4.4 小結 65
第5章 憶阻電路動力學分析 66
5.1 引言 66
5.2 四階憶阻混沌電路 67
5.2.1 模型與混沌吸引子 67
5.2.2 平衡集與穩定性 70
5.2.3 依賴於初始狀態的動力學 71
5.2.4 依賴於電路參數的動力學 72
5.3 兩個憶阻的混沌電路 73
5.3.1 模型與混沌吸引子 74
5.3.2 平衡集與穩定性 76
5.3.3 複雜非線性現象分析 78
第6章 憶阻電路降維建模 81
6.1 引言 81
6.2 憶阻電路建模問題 82
6.2.1 蔡氏憶阻電路 82
6.2.2 蔡氏憶阻電路常規建模 83
6.2.3 蔡氏憶阻電路降維建模 84
6.3 憶阻電路降維建模 85
6.3.1 兩個憶阻的混沌電路 85
6.3.2 動力學降維建模 86
6.3.3 降維模型的混沌吸引子 88
6.4 降維模型的動力學特性 89
6.4.1 平衡點與穩定性 89
6.4.2 分岔分析 90
6.5 兩種模型的特性比較 93
6.5.1 平衡點與穩定性比較 93
6.5.2 動力學特性比較 94
6.6 小結 96
第7章 記憶元件與記憶系統 97
7.1 引言 97
7.2 記憶元件建模 98
7.2.1 記憶元件定義 98
7.2.2 緊磁滯回線 99
7.3 混沌記憶系統 100
7.3.1 數學模型和混沌吸引子 100
7.3.2 平衡集與穩定性 101
7.4 混沌記憶系統複雜動力學 103
7.4.1 依賴於記憶元件初始狀態 103
7.4.2 複雜瞬態轉移現象 104
7.5 實驗和PSIM 仿真驗證 107
7.5.1 記憶元件實驗測量 107
7.5.2 混沌記憶系統實驗測量 108
7.5.3 依賴於初始狀態的PSIM 仿真 109
7.6 小結 111
第8章 荷控憶阻等效分析 112
8.1 引言 112
8.2 荷控憶阻等效模型 113
8.3 荷控憶阻特性分析 114
8.3.1 無源荷控憶阻分析 114
8.3.2 有源荷控憶阻分析 117
8.4 等效電路與實驗驗證 119
8.4.1 等效分析電路 119
8.4.2 實驗驗證 121
8.5 小結 123
第9章 憶阻電路映射等效分析 124
9.1 引言 124
9.2 映射等效法 125
9.2.1 非線性伏安電路模型 125
9.2.2 非線性韋庫電路模型 126
9.2.3 映射等效法 127
9.3 憶阻混沌電路等效分析 128
9.3.1 憶阻混沌電路動力學分析 128
9.3.2 採用蔡氏混沌電路等效分析 130
9.3.3 兩個混沌電路的動力學說明 131
9.4 憶阻混沌電路等效實現 133
9.4.1 統一等效電路設計 133
9.4.2 電路實驗觀察 134
9.5 小結 135
附錄 憶阻是動態元件嗎？ 136
A.1 引言 136
A.2 兩個電路定律 137
A.3 基礎元件韋庫關係 138
A.4 憶阻電路的動力學方程 138
A.5 結論 140
參考文獻 143
中英文名詞對照表 148
