微量摻鍺直拉矽單晶技術及其套用，楊德仁等人完成的技術發明。
基本介紹
- 中文名：微量摻鍺直拉矽單晶技術及其套用
- 完成人：楊德仁等
主要完成人,所獲榮譽,
微量摻鍺直拉矽單晶技術及其套用，楊德仁等人完成的技術發明。
微量摻鍺直拉矽單晶技術及其套用，楊德仁等人完成的技術發明。主要完成人楊德仁（浙江大學）田達晰（浙江金瑞泓科技股份有限公司）余學功（浙江大學）馬向陽（浙江大學）所獲榮譽2020年1月10日，榮獲2019年度國家技術發明獎二...
九三學社社員、浙江大學教授馬向陽參與完成的“微量摻鍺直拉矽單晶技術及其套用” 項目榮獲2019年度國家技術發明獎二等獎。2004年入選國家教育部“新世紀優秀人才支持計畫”。主持完成國家自然科學基金1項，在半導體矽材料、矽基氧化物半導體材料與器件等方面取得系列研究成果。獲得國家自然科學二等獎1項（排名第二），...
本課題組提出利用微量摻鍺控制直拉矽單晶微缺陷的新概念，是一種具有廣闊套用前景的新型矽單晶材料。在此基礎上，本項目主要研究微量摻鍺直拉矽單晶中的原生缺陷（Void等）行為和機理，指出原生缺陷控制和消除技術；模擬大規模積體電路熱處理工藝過程，闡明微量摻鍺直拉矽單晶在工藝過程中的氧沉澱行為；並指出鍺對潔淨...
通過本項目的研究，將基本了解空間用摻鍺直拉矽單晶輻照缺陷的性質及摻鍺對矽基器件抗輻照能力的影響規律，為摻鍺直拉矽單晶在空間微電子領域的套用提供理論基礎。結題摘要 利用在直拉矽單晶中摻雜微量的鍺原子提高空間用矽基半導體器件的抗輻照性能，是國防微電子領域開發高抗輻照能力基礎半導體材料的重大創新點之一...
項目將製備300mm直徑普通、摻氮、微量摻鍺直拉矽單晶，研究大直徑矽單晶中原生晶體缺陷（如空洞型缺陷、氧沉澱等）的分布規律和結構特性，研究它們在矽片製備和熱處理過程中的演變、對內吸雜性能、電學性質和力學性能的影響；研究晶體生長過程中自間隙矽原子、空位點缺陷的形成、擴散和互相作用，研究其空位、氧、鍺等...
直拉單晶鍺 直拉單晶鍺是指採用直拉法從鍺熔體中拉制出的具有一定直徑、晶向、導電型號和電阻率範圍的鍺單晶。
矽單晶是呈單晶體的半導體矽材料，是產量最大、套用最廣的半導體材料。性能 禁頻寬度1. 12 cV 電子遷移率1500cm2/V?g 空穴遷移率450cm2/V?s 本徵載流子濃度1.45×1010cm-3 本徵電阻率2.3×105Ω?cm 熱導率(300K)150W/m?K,臨界剪下應力(CRSS)1.85MPa(接近熔點時)套用 由於其良好的熱導率及高溫力學...
2019年度國家技術發明獎獲獎項目 2019年度國家技術發明獎獲獎項目是2020年1月10日，在北京頒發的獎項。頒獎時間 2020年1月10日，2019年度國家技術發明獎在北京頒獎。獲獎名單 一 等 獎 二 等 獎
2019年度國家技術發明獎，2019年頒發獎項。獎項發布 2020年1月10日，2019年度國家科學技術獎勵大會在人民大會堂隆重召開，高校作為第一完成人所在單位獲得2019年國家技術發明獎一等獎1項、二等獎38項，占授獎總數47項（一等獎1項、二等獎46項）的83.0%。國家技術發明獎通用項目一等獎總共授獎1項，授予北京航空航天大學...
1月10日，中共中央、國務院在北京隆重舉行國家科學技術獎勵大會。國家技術發明獎二等獎——微量摻鍺直拉矽單晶技術及其套用 主要完成人：楊德仁（浙江大學），田達晰（浙江金瑞泓科技股份有限公司），余學功（浙江大學），馬向陽（浙江大學）田達晰博士致力於矽單晶生長研究，是中國在一線從事半導體矽單晶材料研究和製造的...
楊德仁主要從事半導體矽材料研究。提出了摻氮控制極大規模積體電路用直拉矽單晶微缺陷的思路，系統解決了氮關缺陷的基礎科學問題，促進了其在國際上的廣泛套用；提出了微量摻鍺控制晶格畸變的思路，發明了微量摻鍺矽晶體生長系列技術，系統解決了相關矽晶體的基礎科學問題，實現了實際套用；研究了納米矽等的製備、結構和...
2002/10 - 2003/09）研究領域 半導體晶體(矽、石墨烯、鈣鈦礦)材料及器件 1月10日，中共中央、國務院在北京隆重舉行國家科學技術獎勵大會。國家技術發明獎二等獎——微量摻鍺直拉矽單晶技術及其套用，主要完成人：楊德仁（浙江大學），田達晰（浙江金瑞泓科技股份有限公司），余學功（浙江大學），馬向陽（浙江大學）
研究成果：全分子篩吸附法提純矽烷、高頻1.09μm紅外光電導衰減矽單晶少子壽命測試儀、減壓充氮直拉矽單晶技術。論文著作 闕端麟發表的重要論文50餘篇。獲中國發明專利權8項。主要論著 1：闕端麟，採用氮保護氣氛製造直拉(切氏法)矽單晶方法，中國發明專利 ，CN85100295B(已授權)。2：闕端麟，重摻銻矽單晶的製造...