徐現剛，男，山東泰安人，1965年1月生，教授，博士生導師。
1992年獲得山東大學凝聚態物理博士學位，師從於蔣民華院士。2000年留美回國-至今，獲教育部第一批長江計畫的特聘教授，2000年度國家傑出青年科學基金獲得者，973首席科學家，主要從事半導體材料製備及其套用研究的工作。
自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導體薄膜材料的生長及器件套用工作，製備出多種量子異質結構材料如量子阱、超晶格、2DEG，多種薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等，套用到多種半導體器件如：半導體雷射器、發光二極體、HBT、HEMT等。積極回響國家號召，踐行產學研結合，服務地方服務山東，把科技創新的成果產業化；自2000年開始SiC單晶生長和加工工作，先後突破了2英寸6H-SiC、3英寸以上的4H-SiC等的單晶生長技術，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，製備出基於SiC襯底的GaN超高亮度發光二極體。先後承擔了多項863、973、國家重大專項等課題。
獲得多項表彰和獎勵，如1995年洪堡學者，1998年獲得由IEE頒發的Electronics Letters Premium，1999年在美國獲得由IEEE頒發的Best Paper Award，2000年獲得“國家傑出青年基金”，2003年“山東省科技進步一等獎”、“山東省留學回國創業獎”，2005年獲“山東省十大傑出青年”，2007年獲“政府特殊津貼獎”，2013年獲得“山東省技術發明一等獎”等。任國務院學位委員會委員、國家863計畫半導體照明工程總體專家組專家等等。
基本介紹
- 中文名：徐現剛
- 外文名：Xu xiangang
- 別名：教授
- 出生地：山東泰安
- 出生日期：1965年1月
- 職業：教授，博士生導師
簡介,學習工作經歷,主要學術成績,榮譽,
簡介
2001年1月獲“國家傑出青年基金”獎，2005年11月被教育部聘為“長江學者”特聘教授。享受2007年國務院政府特殊津貼。現任山東大學晶體材料國家重點實驗室副主任。 《人工晶體學報》專業委員，“中國晶體協會”理事山東大學教授，長江學者特聘教授，國家傑出青年基金獲得者。
學習工作經歷
1982年考入山東大學物理系並先後獲得學士、碩士、博士學位。
1992年起任山東大學晶體所講師、副教授，
1995赴德國亞堔大學半導體技術研究所做洪堡學者，
1997年赴加拿大從事博士後/助研，
1999至2000年任美國SEP公司技術部經理。
2000年至今任山東大學晶體材料國家重點實驗室教授，教育部長江學者特聘教授，博士生導師，美國物理學會會員，中國青年材料委員會理事，中國晶體學會理事，“材料科學與工程”雜誌編委；兼任山東華光光電子有限公司總工程師。
主要學術成績
一直從事半導體材料製備及其套用研究的工作，參加國家計委的產業化前期關鍵技術項目，開闢了大直徑SiC單晶襯底製備的研究方向。
製備出650nm可見光半導體雷射器，閾值電流低達8mA，成功轉入產業化生產；製備出808nm有源層無鋁半導體雷射器；2005年製備出高亮度AlGaInP紅色發光二極體，亮度達到150mcd以上，滿足規模生產的要求，達到台灣、美國等國際一流公司的產品水平；採用升華法和最佳化坩鍋設計及溫場分布，在國內成功地生長出直徑大於2英寸的SiC單晶；進行InP/GaAsSb/InP雙異質結晶體三極體研究。在半導體光電材料與器件套用方面作出了突出貢獻，憑藉多年的半導體薄膜製備經驗，攻克了材料生長、器件工藝等多項難關，順利把創新科技成果實現產業化，產品占據國內70%的市場，產銷量為國內首位。
榮譽
承擔多個國家及省部級重大科研課題項目。先後在國際性學術期刊上發表論文八十多篇，被SCI和EI收錄論文約70篇。獲得專利8項。獲山東省科技進步一等獎，美國工程師協會和英國工程師協會最佳論文獎；德國洪堡獎學金，“山東省留學回國創業獎”等學術獎勵。被評為2004年度“山東省十大傑出青年”。 2012年獲“全國優秀科技工作者”稱號國務院政府特殊津貼等獎勵。
