《形成納米片電晶體的方法及相關結構》是格芯（美國）積體電路科技有限公司於2018年7月24日申請的專利，該專利公布號為CN109300973B，專利公布日為2021年6月8日，發明人是J·弗羅吉埃爾、成敏圭、謝瑞龍、朴燦柔、史帝文·本利。
基本介紹
- 中文名：形成納米片電晶體的方法及相關結構
- 授權公告號：CN109300973B
- 授權公告日：2021年6月8日
- 申請號：2018108186897
- 申請日：2018.07.24
- 專利權人：格芯(美國)積體電路科技有限公司
- 地址：美國加利福尼亞州
- 發明人：J·弗羅吉埃爾; 成敏圭; 謝瑞龍; 朴燦柔; 史帝文·本利
- 專利代理機構：北京戈程智慧財產權代理有限公司11314
- 代理人：程偉; 王錦陽
- 優先權：15/657,659 2017.07.24 US
國際專利分類號,對比檔案,專利摘要,
國際專利分類號
Int. Cl.
H01L29/06(2006.01)I; H01L29/08(2006.01)I; H01L29/78(2006.01)I; H01L21/336(2006.01)I; B82Y40/00(2011.01)I
對比檔案
US 9515138 B1,2016.12.06; KR 100550343 B1,2006.02.08; US 9653287 B2,2017.05.16; US 9219154 B1,2015.12.22
專利摘要
本發明涉及形成納米片電晶體的方法及相關結構，其中，一種根據本揭示內容的IC結構包括：襯底；一對電晶體部位，位在該襯底上，其中，該襯底橫向在該對電晶體部位之間的上表面界定分離區；一對納米片堆疊，各自位在該對電晶體部位的其中一者上；絕緣襯裡，在該分離區內共形地位在該襯底的該上表面上，以及位在該對電晶體部位的各者的側壁表面上；半導體心軸，位在該絕緣襯裡上且位於該分離區上方；一對絕緣體區，各自在該對電晶體部位的各者的側壁表面上橫向位於該半導體心軸與該絕緣襯裡之間；以及源極/漏極外延區，位於該對絕緣體區及該半導體心軸上方，其中，該源極/漏極外延區橫向抵接該對納米片堆疊。
