《強無序準二維電子體系的輸運性質的實驗研究》是王世光為項目負責人，北京大學為依託單位的面上項目。
基本介紹
- 中文名：強無序準二維電子體系的輸運性質的實驗研究
- 項目類別 ：面上項目
- 項目負責人：王世光
- 依託單位 ：北京大學
- 批准號：19474005
- 申請代碼：A2003
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1995-01-01至1997-12-31
- 支持經費：8(萬元)
項目摘要
根據介觀物理近年來研究動向及人工微加工和介觀物理重點實驗室研究側重點考慮，進行了一定的調整，開展了介觀物理的光學微腔物理探索。較為全面地調查和評述了九十年代興起的介觀物理光這微腔領域的研究狀況及基本動向，以二十世紀最後一類新型半導體——Ⅲ族氮化物為基礎材料及其微腔為對象，提出研究和製備氮化鎵及其相關化合物微腔的可行性方案。對MOCVD和MBE生長的Ⅲ族一氮化物及其合金系薄膜與量子阱結構，建立了相應光學和電學等基本特性測試手段。進行了氮化鎵微米和亞微米加工技術的探索性試驗，特別是提出、探索和發展了一種簡易可行的GaN光輔助濕法腐蝕，已初步套用於GaN基微腔開制並顯示很好的苗頭，受到國內外同行的關注。
