《強流D-T/D-D中子發生器研製》是依託蘭州大學，由姚澤恩擔任項目負責人的專項基金項目。
基本介紹
- 中文名：強流D-T/D-D中子發生器研製
- 依託單位：蘭州大學
- 項目負責人：姚澤恩
- 項目類別：專項基金項目
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
通過強流束傳輸理論及束包絡數值計算方法的研究，開發用於強流束傳輸系統設計的計算機模擬輔助設計軟體，完成強流中子發生器強流氘（D）束傳輸系統的物理設計。採用Poission/Superfish等軟體工具，通過電磁場的數值模擬，完成束流傳輸元件及傳輸系統的物理及工程設計。通過永磁強流ECR離子源、強流加速管、高穩定度大功率高壓電源及中頻供電系統、磁流體密封水冷大面積高速旋轉靶系統等關鍵基礎問題和技術問題的理論和實驗研究，研製一台強流D-T/D-D中子發生器，使D束流能量達到400keV，旋轉靶上D分析束流強度大於30mA，靶上束斑直徑小於20mm，D-T中子產額達到6.0e12 n/s,D-D中子產額達到6.0e10 n/s。
結題摘要
氘氚（D-T）和氘氘（D-D）聚變反應中子發生器是重要的加速器中子源，可廣泛套用於核數據測量、核聚變堆基礎研究、軍工基礎研究等各個方面。本項目的研究目標是，通過強流離子源、強流加速管、大功率高壓電源及中頻供電系統、磁流體密封水冷大面積高速旋轉靶系統等關鍵基礎問題和技術問題研究，研製一台強流D-T/D-D 中子發生器。截至2013年12月，已完成了強流離子源、強流加速管、400 kV大功率高壓電源、磁流體密封水冷大面積高速旋轉靶等關鍵元件和其它元件的研製，並完成了中子發生器的總裝和真空調試。2014年5月前，將完成中頻供電系統的研製，2014年12月前，將完成所有的中子出束調試工作，力爭D-T 中子產額達到6.0e12 n/s,D-D 中子產額達到6.0e10 n/s。
