張小玲 北京工業大學電子信息與控制工程學院副教授。1998年畢業於瀋陽工業大學微電子與固體電子學專業，獲碩士學位，同年在北京工業大學電控學院擔任教學和科研工作。2006年畢業於北京工業大學微電子與固體電子學專業，獲工學博士學位。曾赴英國伯明罕大學學習。
主要研究方向：
半導體器件、積體電路熱特性的研究；電子元器件、積體電路可靠性及加速壽命試驗的研究；GaN基高電子遷移率電晶體等新器件的設計及製造。
目前承擔的主要科研項目和教學任務
面向本科生：《半導體可靠性技術》《計算機軟體基礎》
面向研究生：《微電子器件可靠性物理》
在研課題：
軍用半導體分立器件加速壽命試驗新方法的套用研究；
軍用半導體器件的長期貯存的加速實驗方法的研究；
遙測自動測試系統的研究。
科研成果
在國內外核心學術刊物上共發表論文四十餘篇。
【1】Zhang Xiaoling, Li Fei, et al. High-temperature characteristics of AlxGa1-xN /GaN Schottky diodes. Journal of Semiconductors，2009，30（3）P 034001-1 EI（EI收錄號：20091712051382）
【2】張小玲，呂長志，謝雪松等。Ni/AlGaN/GaN結構中肖特基勢壘溫度特性。 北京工業大學學報2008年第34卷，第4期 （EI收錄號：20082311303024）
【3】張小玲，呂長志，謝雪松等。AlGaN/GaN HEMTs 器件研製。《半導體學報》，2003年，第24卷，第8期，P847。（EI收錄號：2004078020810）
【4】張小玲，呂長志，謝雪松等。跨導為220mS/mm的AlGaN/GaN HEMT。《固體電子學研究與進展》，2004年，第24卷，第2期，P209。（EI收錄號：2004398378429）
【5】張小玲，謝雪松，呂長志等。AlGaN/GaN HEMT器件的高溫特性。《微電子學與計算機》，2004年，第21卷，第7期，P171
