常溫電化學法沉積矽薄膜並部分晶化以製備太陽能電池

常溫電化學法沉積矽薄膜並部分晶化以製備太陽能電池

《常溫電化學法沉積矽薄膜並部分晶化以製備太陽能電池》是依託蘇州大學,由邵名望擔任項目負責人的重大研究計畫。

基本介紹

  • 中文名:常溫電化學法沉積矽薄膜並部分晶化以製備太陽能電池
  • 項目類別:重大研究計畫
  • 項目負責人:邵名望
  • 依託單位:蘇州大學
項目摘要,結題摘要,

項目摘要

摘要:非晶矽太陽能電池因可大規模生產、成本低廉等眾多優點有著廣闊的套用前景,但前期投資成本高和光致衰減效應成了其發展的瓶頸。本項目擬採用溶液法電沉積路線在常溫下製備非晶矽薄膜以降低投資成本;製備電池時採用p-i-n結構,同時將所得到的非晶矽進行部分晶化以減弱光致衰減的影響。本課題的開展可以為溶液法製備部分晶化矽太陽能電池提供指導。

結題摘要

在非水溶液體系中,使用直流電沉積與脈衝電沉積的方法,通過電化學還原 Si 的鹵化物,在不鏽鋼薄板電極表面成功製備非晶矽薄膜。 在矽膜上修飾貴金屬,並用作作為染料敏化太陽能電池的對電極。鉑/矽材料作為染料敏化太陽能電池的對電極,可以減小I3-/I-過電位達0.05V,組裝成太陽能電池後,效率為6.57%,與標準鉑對電極相比,開路電壓增加了0.04V,提升了5.6%;短路電流增加了0.57mAcm-2,提升了3.3%;功率轉換效率增加0.45%,提升了7.4%。 以矽膜為主體,製備固體太陽能電池。利用矽薄膜為基底,以三氧化鉬為電子阻擋層,鋁和銀為電極製作了太陽能電池,獲得了初步的太陽能轉換效率,其中開路電壓為0.26 V,短路電流為0.46 mA/cm2,效率為0.066%,填充因子為0.55。 共發表相關SCI論文26篇,授權專利1個。

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