少子壽命測試

少子壽命測試採用了獨特的測量和分析技術，包括準穩定態光電導(QSSPC)測量方法。可靈敏地反映單、多晶矽片的重金屬污染及陷阱效應,表面複合效應等缺陷情況。WCT在大於20%的超高效率太陽能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發和生產過程中是一種被廣泛選用的必備檢測工具。這種QSSPC測量少子壽命的方法可以在電池生產的中間任意階段得到一個類似光照IV曲線的開路電壓曲線，可以結合最後的IV曲線對電池製作過程進行數據監控和參數最佳化。主要套用：分布監控和最佳化製造工藝其它套用：檢測原始矽片的性能 測試過程矽片的重金屬污染狀況 評價表面鈍化和發射極擴散摻雜的好壞 用得到的類似IV的開壓曲線來評價生產過程中由生產環節造成的漏電。 主要特點： 只要輕輕一點就能實現矽片的關鍵性能測試，包括表面電阻，少子壽命，陷阱密度，發射極飽和電流密度和隱含電壓。

基本介紹

• 中文名：少子壽命測試

WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC準穩態光電導）

準穩態光電導衰減法（QSSPC）和微波光電導衰減法（MWPCD）的比較？

QSSPC方法優越於其他測試壽命方法的一個重要之處在於它能夠在大範圍光強變化區間內對過剩載流子進行絕對測量，同時可以結合 SRH模型，得出各種複合壽命，如體內缺陷複合中心引起的少子複合壽命、表面複合速度等隨著載流子濃度的變化關係。

MWPCD方法測試的信號是一個微分信號，而QSSPC方法能夠測試少子壽命的真實值，MWPCD在加偏置光的情況下，結合理論計算可以得出少子壽命隨著過剩載流子的變化曲線，而QSSPC直接就能夠測得過剩載流子濃度，因此可以直接得出少子壽命與過剩載流子濃度的關係曲線，並且得到PN結的暗飽和電流密度；MWPCD由於使用的脈衝雷射的光斑可以做到幾個到十幾個，甚至更小的尺寸，在照射過程中，只有這個尺寸範圍的區域才會被激發產生光生載流子，也就是得到的結果是局域區域的差額壽命值，這對於壽命分布不均勻的樣品來說，結果並不具備代表性。