《少子壽命橫向分布對超快恢復功率二極體特性的影響》是依託四川大學，由游志朴擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：少子壽命橫向分布對超快恢復功率二極體特性的影響
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：游志朴
- 依託單位：四川大學
- 研究期限：1997-01-01 至 1999-12-31
- 批准號：69676034
- 支持經費：10.2（萬元）
- 申請代碼：F0404
- 負責人職稱：教授
項目摘要
採用定域摻入Au\Pt\Pd工藝實現了二極體中少子壽命橫向分布（MLD）。實驗結果表明：由室溫升至100℃摻Pd矽MLD二極體的反恢時間變化率不到20%，而目前廣為套用的摻Pt二極體變化率高達150%至230%。MLD二極體的恢復軟度也較均勻摻雜二極體有明顯提高。MLD結構對於高溫高速開關器件和高軟度器件的研製方面具有重要套用前景。首次對摻Pd矽二極體進行了較全面的研究，與有關理論預測不同，摻Pd矽二極體具有良好的VF-tn兼容性，Pd宜用於快速器件。本研究表明：二極體中少子壽命控制雜質或缺陷的縱、橫向分布對器件參數有很顯著的影響，目前僅考慮雜質缺陷引入的深能級特性的快速二極體理論必需改進，在器件物理髮展方面有重要科學意義。
