太陽能級多晶矽錠、矽片晶體缺陷密度測定方法

《太陽能級多晶矽錠、矽片晶體缺陷密度測定方法》是2019年4月1日實施的一項中國國家標準。

基本介紹

• 中文名：太陽能級多晶矽錠、矽片晶體缺陷密度測定方法
• 外文名：Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer
• 標準號：GB/T 37051-2018
• 中國標準分類號：H80

編制進程

2018年12月28日，《太陽能級多晶矽錠、矽片晶體缺陷密度測定方法》發布。

2019年4月1日，《太陽能級多晶矽錠、矽片晶體缺陷密度測定方法》實施。

起草工作

主要起草單位：英利集團有限公司、江西賽維LDK太陽能高科技有限公司、晉能清潔能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司、中國電子技術標準化研究院、泰州中來光電科技有限公司、鎮江仁德新能源科技有限公司。

主要起草人：李鋒、李英葉、吳翠姑、馮亞彬、唐駿、段青春、張偉、裴會川、程小娟。