太赫茲天線採用頻率75KHz、脈寬100fs雷射器進行激勵，得到譜寬0.1-2.7THz的THz波。基於LT-GaAs的太赫茲天線與普通半絕緣SI-GaAs材料相比，在同樣激勵條件下太赫茲頻譜頻寬增加近兩倍。
簡介,原理,
簡介
外延LT-GaAs具有的超短載流子壽命特性使之成為適於製作THz光導天線理想材料體系。
原理
太赫茲天線中的太赫茲(THz)波通常是指頻率在0.1～10THz（波長介於微波與紅外波之間的0.03～3毫米範圍）的電磁波。太赫茲成像和波譜技術將是太赫茲套用的主要技術。太赫茲具有高頻和超短脈衝（皮秒量級）特性，使之具有很高的空間解析度和時間解析度。太赫茲能量很小，不會對物質產生破壞作用，所以比X射線技術更具優勢。此外，許多生物大分子的振動和轉動共振頻率也處在太赫茲波段。因此，開發太赫茲波技術將對寬頻通信、雷達探測、電子對抗、電磁武器、天文學、無標記基因檢查、細胞成像、無損檢測、生化物檢查、糧食選種，菌種優選等多領域的技術發展帶來深遠影響。
