《大範圍波長可切換複合腔半導體雷射器的研製》是依託北京交通大學，由陳根祥擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：大範圍波長可切換複合腔半導體雷射器的研製
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：陳根祥
- 依託單位：北京交通大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：60777013
- 申請代碼：F0502
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：28（萬元）
項目摘要
低成本、廉價的大範圍波長可切換通信光源是當前網路全光化與光纖到戶所須解決的最關鍵核心問題之一，具有巨大的技術意義與市場前景。本項目擬採用廉價的法布里－泊羅雷射二極體管芯與光纖型反射器一起構成價格低廉、性能穩定的波長可切換複合腔半導體雷射器。在此基礎上，進一步套用kp理論，採用8×8 Pikus-Bir哈密頓對InGaAsP/InP材料系非均勻應變多量子阱的導帶與價帶波函式、能帶結構、阱間耦合效應、增益與吸收特性、自發輻射譜以及載流子感應折射率變化等電子學與光學特性進行全面深入的研究，據此對具有大範圍平坦增益的InGaAsP/InP非均勻多量子阱結構進行最佳化設計與實驗研製，並最終研製出具有非均勻多量子阱結構、工作波長範圍超過100nm、可覆蓋整個S波段和C波段、性能穩定且價格低廉的大範圍波長可切換複合腔半導體雷射器。
