《大注入條件下高發光效率GaN基LED有源區結構研究》是依託北京大學，由陳志忠擔任負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：大注入條件下高發光效率GaN基LED有源區結構研究
- 項目負責人：陳志忠
- 項目類別：面上項目
- 依託單位：北京大學
- 批准號：60876063
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：42（萬元）
項目摘要
大注入條件下高發光效率GaN基LED對通用照明的套用具有巨大的價值，它不但方便二次光學設計，而且還將顯著降低光源製作成本和使用成本。但是在目前常用的技術水平下，大注入條件下LED發光效率顯著下降，主要原因是大注入下有源區中俄歇複合和注入效率變差。本項目的研究目的是得到至少一種大注入下高效發光的LED結構，同時基於該結構對載流子注入、複合機制進行研究，發展大注入條件下的器件物理。本項目的主要研究內容包括：（1）電子阻擋層和電子駐留層結構的研究；（2）雙異質結構LED的研究；（3）AlInGaN/InGaN多量子阱LED研究。通過研究解決載流子的高效率注入，應力可控的高質量InGaN有源區生長，AlInGaN壘層的結構對InGaN複合機制的影響等問題，從而解決半導體照明的關鍵技術和理論問題。課題申請人及其課題組近年來一直致力於半導體照明的研究，取得了富有特色的研究成果，積累了大量的經驗。
