多閾值器件技術

多閾值器件技術指通過減小泄漏功耗實現低功耗設計。

基本介紹

• 中文名：多閾值器件技術
• 外文名：multi-threshold CMOS technology

在低功耗設計中通過減小泄漏功耗，例如採用多閾值器件MTCMOS（multi-threshold CMOS）技術，也是個較好的低功耗設計辦法。

多閾值器件技術減小泄漏功耗的意思是，在電路中的關鍵路徑使用低閾值電壓的邏輯器件，非關鍵電路使用高閾值電壓的邏輯器件。閾值電壓V_TH較高的邏輯單元漏電流較小，但速度也較低，適用於非關鍵路徑收斂。閾值電壓較低的單元漏電流較大，但工作頻率較高，速度快，用於關鍵時序路徑。通過綜合工具獲得最最佳化的高V_TH和低V_TH單元的組合，由此產生的網表能夠在滿足設計目標的同時儘可能地降低漏電流。這一技術的實現需要有多閾值電壓單元庫的支持，即能提供具有不同閾值電壓的邏輯單元，在綜合時，設計泄漏功耗的目標值，綜合工具能夠根據時序路逕自動選擇或替換合適閾值的邏輯單元。