基本介紹
- 中文名:多層光刻膠
- 外文名:Multilayer Resist,MLR
多層光刻膠是針對單層光刻膠光刻工藝中所存在的一些缺點而發展起來的,使用多層光刻膠工藝進行光刻可以得到較好的解析度並且光刻後光刻膠的側面陡直,截面形狀近似為矩形。
在多層光刻膠中最常用的是三層光刻膠,其包括上層光刻膠層、中間介質層及下層光刻膠層,如圖1所示。
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光刻工藝過程可以用光學和化學模型,藉助數學公式來描述。光照射在掩模上發生衍射,衍射級被投影透鏡收集並會聚在光刻膠表面,這一成像過程是一個光學過程;投影在光...
一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、...其主要成像原理是光波波長為10~14nm的極端遠紫外光波經過周期性多層膜反射鏡投射...
光刻的解析度受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。...
UV—LIGA技術使用紫外光源對光刻膠曝光,光源來自汞燈,所用的掩膜板是簡單的掩膜板。該工藝分為兩個主要的部分:厚膠的深層UV 光刻和圖形中結構材料的電鍍。其...
4 軟X射線投影光刻關鍵技術研究現狀 ▪ 光源技術 ▪ 軟X射線微縮投影光學系統 ▪ 反射式掩模 ▪ 軟X射線多層膜技術 ▪ 光刻膠技術 5 我國...