外延系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2009年9月10日啟用。
基本介紹
- 中文名:外延系統
- 產地:中國台灣
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2009年9月10日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電路板製造工藝實驗設備
外延系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2009年9月10日啟用。
外延系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2009年9月10日啟用。技術指標真空優於1x10-6Pa,樣品溫度-150℃到850℃。1主要功能生長有機、金屬和磁性氧化物薄膜。1...
超高真空外延系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2015年12月15日啟用。技術指標 真空度優於10 -10mbarbake溫度能達到150℃配備冷泵、離子泵和小分子泵配備各種類型真空規。主要功能 本設備屬於超高真空外延設備(為科研定製產品)...
分子束外外延系統 分子束外外延系統是一種用於材料科學領域的儀器,於2011年10月31日啟用。技術指標 USM-1400SA。主要功能 超薄薄膜製備及表面形貌、電子態分析。
超高真空雷射分子束外延系統 超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月21日啟用。技術指標 RHEED振盪。主要功能 可提供多種氧化物單晶薄膜製備,並實現原位金屬電極沉積。
LMBE450A雷射分子束外延系統是一種用於物理學、生物學、材料科學、化學工程領域的工藝試驗儀器,於2010年1月20日啟用。技術指標 1.極限真空優於:5.0x10-8Pa(經烘烤除氣後)2.真空漏率小於2.0x10-8Pa.l/S 3.系統從大氣開始抽...
組合雷射分子束外延系統 組合雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年12月2日啟用。技術指標 功率:5kW, 真空度:1e-9torr,溫度:20-1000℃。主要功能 生長連續梯度組分薄膜。
雷射分子束外延及表面檢測系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於1997年9月28日啟用。技術指標 配置了目前國際上溫度最低(6 K)的四探針SPM系統;配置了解析度可達20nm的原位超高真空SEM;四探針測試平台可外加磁場(1.0 ...
雷射分子束外延RHEED聯合系統 雷射分子束外延RHEED聯合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年7月6日啟用。技術指標 本地真空5x10-8 Pa,工作氧壓≤65Pa。主要功能 製備高精度氧化物超薄膜。
雷射分子束外延成膜系統是一種用於電子與通信技術、物理學領域的工藝試驗儀器,於2011年12月1日啟用。技術指標 極限真空:5.0×10-8 Pa。主要功能 用於生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料。
這種控制可以通過外延生長過程中的摻雜來實現。外延層還可以減少CMOS器件中的閂鎖效應。IC製造中最普通的外延反應是高溫CVD系統。工藝簡介 在一些正處於研究階段的套用中,外延能達到製造未來高性能IC的要求。例如用來獲得低的接觸電阻的抬高...