場致變寬field hrmden;ng主要指電場與磁場的影響使譜線變寬。
基本介紹
- 中文名:場致變寬
- 含義:電場與磁場的影響使譜線變寬
前者稱斯塔克變寬(Stark broadening),由外部電場或帶電粒子和離子形成的電場引起;後者稱塞曼變寬(Z)。rnan broadenin幻,由電磁場和永久磁場引起。在原子吸收分析條件下,電場強度很弱,可忽略不計;後者在強磁場作用下,譜線發生分裂,可用於背景校正。
場致變寬field hrmden;ng主要指電場與磁場的影響使譜線變寬。
場致變寬field hrmden;ng主要指電場與磁場的影響使譜線變寬。前者稱斯塔克變寬(Stark broadening),由外部電場或帶電粒子和離子形成的電場引起;後者稱塞曼變寬(Z)。rnan broadenin幻...
實驗標明這類材料的電子親和勢很低,通過表面處理甚至可以使電子親合勢變為負的。從而引起了用它製作場致發射陰極的興趣,這類材料一般可適合高功率、高發射電流的套用場合,這類寬禁帶半導體的場致發射機理及套用還有待進一步研究。場致...
外場電有兩個作用:一是降低表面勢壘,二是減少勢壘寬度。Fowler和Nordheim用量子力學的觀點解釋了金屬的場致發射現象,稱為FN理論。半導體材料在電場中的行為比金屬更為複雜,主要是由於存在電場滲透現象和更為複雜的表面態影響。人們做了...
場致發射顯示(FED)是在強電場的作用下陰極表面勢壘降低、變薄(圖1-1),電子通過隧道效應穿過勢壘發射到真空,電子加速後轟擊在螢光粉上實現顯示。從結構上FED可分為二極體型和三極體型兩種,FED的陰極材料主要有金屬尖錐(也稱Spindt...
洛倫茨變寬是指被測元素原子與其它元素的原子相互碰撞引起的變寬,稱為洛倫茨變寬。洛倫茨變寬隨原子區內原子蒸氣壓力增大和溫度升高而增大。除上述因素外,影響譜線變寬的還有其它一些因素,例如場致變寬、自吸效應等。但在通常的原子吸收...