《基於霍爾天平結構新型多組態存儲材料與物理研究》是依託北京科技大學，由張靜言擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：基於霍爾天平結構新型多組態存儲材料與物理研究
- 依託單位：北京科技大學
- 項目負責人：張靜言
- 項目類別：青年科學基金項目
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
以霍爾天平結構為基礎的多組態磁信息存儲材料是一種新型的自旋電子學材料，這種材料的反常霍爾效應調控物理機理包含了非常豐富的物理內涵，同時在未來高密度（3D存儲模式）、低功耗和高運算速度的磁信息存儲器的開發設計中具有非常重要的套用潛力。本項目以具有垂直磁各向異性的霍爾天平薄膜材料為主要研究對象，重點研究該體系中反常霍爾效應調控的物理機理，突破霍爾天平薄膜材料反常霍爾偏轉角提高的技術瓶頸，製備具有高質量、性能可控的多組態反常霍爾效應薄膜材料，探索基於霍爾天平結構的新型多組態磁存儲原理型器件中材料、物理及相關技術問題。
結題摘要
以霍爾天平結構為基礎的多組態磁信息存儲材料是一種新型的自旋電子學材料，這種材料的反常霍爾效應調控物理機理包含了非常豐富的物理內涵，同時在未來高密度（3D存儲模式）、低功耗和高運算速度的磁信息存儲器的開發設計中具有非常重要的套用潛力。本項目以具有垂直磁各向異性的霍爾天平薄膜材料為主要研究對象，重點研究該體系中反常霍爾效應調控的物理機理，突破霍爾天平薄膜材料反常霍爾偏轉角提高的技術瓶頸，製備具有高質量、性能可控的多組態反常霍爾效應薄膜材料，探索基於霍爾天平結構的新型多組態磁存儲原理型器件中材料、物理及相關技術問題。針對項目申請書中所涉及到的研究內容和研究目標，項目負責人及團隊成員深入探究了霍爾天平材料中反常霍爾電壓的調控機理，並製備出高性能的霍爾天平薄膜材料，同時開發以霍爾天平材料為核心單元的原理型器件。對於項目申請書中提到的科學問題，項目負責人按照既定的技術路線和研究思路展開相關的研究工作，闡明並解決相關的科學問題中所涉及的材料、物理問題。同時，項目負責人還獲得了第一手的研究結果，最佳化了霍爾天平材料的霍爾輸出電阻變化率（高達69900%）和霍爾偏轉角（5.1%），闡明了界面結構與反常霍爾效應之間的物理機制內在關係。按照預期研究成果設定的既定目標，本項目所獲得研究成果在國際權威學術期刊得到發表，總計發表高水平論文12篇，同時協助培養研究生總計4人。
