基於金屬氧化物TFT技術的射頻識別(RFID)標籤集成研究

基於金屬氧化物TFT技術的射頻識別(RFID)標籤集成研究

《基於金屬氧化物TFT技術的射頻識別(RFID)標籤集成研究》是依託華南理工大學,由吳為敬擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:基於金屬氧化物TFT技術的射頻識別(RFID)標籤集成研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:吳為敬
  • 依託單位:華南理工大學
項目摘要,結題摘要,

項目摘要

射頻識別(RFID)是實現物聯網的關鍵技術。RFID標籤具有唯一的電子編碼,是射頻識別系統真正的數據載體。使用薄膜電晶體(TFT)工藝替代單晶矽工藝製備RFID標籤來解決傳統RFID標籤IC晶片與天線整合的問題並預期將來可實現柔性RFID標籤,是目前學術界和產業界的研究熱點。本申請課題基於金屬氧化物TFT相關技術及其器件特性研究設計天線、調製解調電路、整流穩壓電路、時鐘及數字邏輯電路、EEPROM存儲電路等,實現在同一玻璃襯底上一體化集成13.56MHz無源RFID標籤。通過解決金屬氧化物TFT積體電路的低功耗設計、模擬電路工作穩定性及集成中信號完整性等關鍵科學問題,希望凝鍊金屬氧化物TFT積體電路(數字、模擬)的共性技術,為在柔性襯底上實現柔性RFID標籤奠定良好基礎。

結題摘要

射頻識別(RFID)是實現物聯網的關鍵技術,本項目嘗試採用金屬氧化物薄膜電晶體技術研究設計RFID電路及模組。我們開展了基於TFT技術的射頻識別標籤天線、模擬前端、EEPROM讀寫電路、時鐘及數字邏輯電路等方面的研究。巧妙採用上拉信號反饋控制的反相器級聯構成環形振盪器,具有低功耗和全擺幅輸出的優點。研究設計了採用內部反饋控制的低功耗D觸發器(DFF)電路。套用跨導增強拓撲實現高增益的運算放大電路(OPAMP)。這些都為TFT技術構建面向RFID套用的時鐘電路、數字電路及模擬電路奠定了良好基礎。集成設計了曼徹斯特編碼數據傳送模組,其對16bit ROM 所存儲的ID數據的編碼速率為103kbps,接近ISO 14443標準的數據率要求,可面向13.56 MHz RFID標籤套用。另外,還開展氧化物TFT陷阱態密度提取方法和柔性積體電路等方面研究。通過本項目的開展,凝練了TFT數字和模擬積體電路的一些共性設計方法及技術,為氧化物TFT在諸如柔性電子系統的套用提供了電路拓撲層面的支持。

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