《基於碳化矽材料的壓阻式加速度感測器的製造方法》是北京航空航天大學於2019年12月2日申請的專利，該專利公布號為CN110780090B，專利公布日為2021年6月18日，發明人是徐天彤、陶智、李海旺、翟彥欣、桂英軒、曹曉達。
基本介紹
- 中文名：基於碳化矽材料的壓阻式加速度感測器的製造方法
- 授權公告號：CN110780090B
- 授權公告日 ：2021.06.18
- 申請號 ：2019112121781
- 申請日：2019.12.02
- 專利權人：北京航空航天大學
- 地址：100191北京市海淀區學院路37號
- 發明人：徐天彤; 陶智; 李海旺; 翟彥欣; 桂英軒; 曹曉達
- Int. Cl.：G01P15/12(2006.01)I; B81C1/00(2006.01)I
- 專利代理機構：北京匯捷智慧財產權代理事務所(普通合夥)11531
- 代理人：於鵬
專利摘要
本公開提供了一種基於碳化矽材料的壓阻式加速度感測器，基於壓阻效應，採用雙懸臂樑設計，將電阻隨應力變化的電阻條及線路布置位置設計，形成惠通斯電橋。敏感元件基材為碳化矽，電阻為通過摻雜的碳化矽材料，表面走線材料為金。且提出整個器件的封裝設計，包括用作限位的玻璃上蓋和底部矽基管殼，及陶瓷管殼封裝。採用矽加工工藝，得到的矽基內部管殼襯底，可提供精準的振動裕度與保護限位。通過金絲球焊工藝，將感測器晶片的四個pad的輸入與輸出信號引到金屬管殼的側邊四個金屬管腳上，採用50微米金線信號傳輸，保證信號傳輸的穩定性與晶片的高溫安全性。本公開還提供了一種基於碳化矽材料的壓阻式加速度感測器的製造方法。
