《基於低溫光化學溶液沉積法製備的柔性阻變存儲器研究》是依託重慶大學，由胡偉擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：基於低溫光化學溶液沉積法製備的柔性阻變存儲器研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：胡偉
- 依託單位：重慶大學
中文摘要,結題摘要,
中文摘要
柔性阻變存儲器作為柔性電子設備存儲數據的重要元器件，在非易失性存儲器和柔性可穿戴電子系統等領域具有廣泛的套用前景。柔性阻變存儲器製備的關鍵在於低溫薄膜沉積技術。低溫光化學溶液沉積法是一種新型的非晶態金屬氧化物薄膜沉積技術，具有低溫沉積的優勢和調控薄膜缺陷的特點。在我們前期研究工作的基礎上，本項目提出採用低溫光化學溶液沉積法製備基於非晶態InGaZnO薄膜與ZrO2薄膜的柔性阻變存儲器，研究低溫光化學溶液沉積法製備薄膜的工藝參數和薄膜的生長機理，根據電學表徵結果和不同電阻態微觀結構、缺陷狀態和載流子輸運機制的變化規律，研究器件的阻變性能並闡明阻變機理。本項目的研究結果將有助於拓展柔性阻變存儲器的製備技術，有助於進一步認識薄膜缺陷與阻變性能和機理之間的內在聯繫，為最佳化阻變性能和釐清阻變機理提供新的實驗參考與理論依據。
結題摘要
阻變存儲器具有結構簡單、高密度、高速擦寫等優點，被認為是下一代非易失性存儲器的有力競爭者。本項目基於非易失性阻變存儲器的低溫製備工藝，圍繞阻變材料、阻變性能和阻變機理等方面，開展了系統的研究工作。主要研究成果包括以下三個方面：（1）系統研究了低溫光化學溶液法製備非晶態氧化物薄膜的阻變存儲器。通過改變光照強度、光照時間等工藝參數調控了薄膜內部的缺陷。研究了氧空位的遷移和分布等與電致阻變特性的關聯，分析了導電通路形成和斷裂過程。（2）系統研究了低溫化學溶液法製備無機鹵化物鈣鈦礦薄膜的阻變存儲器。探索研究了無機鹵化物鈣鈦礦CsPbBr3薄膜的柔性阻變存儲器與物理瞬態阻變存儲器。並在此基礎上，研究了Bi替代重金屬Pb的非鉛鹵化物鈣鈦礦CsBi3I10薄膜阻變存儲器。（3）系統研究了金屬氧化物薄膜的阻變性能與機理。通過電學性能調控和不同電阻態的化學價態分析，細緻研究了器件的多態阻變存儲特性、自限制特性、互補型阻變特性以及電阻轉變機理。本項目的研究為發展新型電致阻變薄膜與製備工藝，以及拓展阻變存儲器的套用奠定了良好的基礎。
