《基於介觀光學結構的GaN基新型發光器件》是依託北京大學，由康香寧擔任負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：基於介觀光學結構的GaN基新型發光器件
- 項目負責人：康香寧
- 項目類別：青年科學基金項目
- 依託單位：北京大學
- 批准號：60607003
- 申請代碼：F0502
- 負責人職稱：高級工程師
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：31（萬元）
項目摘要
介觀光學結構是指尺度與光學波長相比擬的各種光學介質結構，受限電子、光子和激子在介觀光學結構中出現的一系列現象不僅揭示了光與物質相互作用的許多基本規律和本質，也為人們控制光的產生、獲取、存儲、傳輸及處理等行為和發展微光子學新型器件提供了新的思路和依據。本項目擬在我們已有的寬禁帶半導體GaN系光子晶體和GaN基發光器件研究成果的基礎上，針對主要難點，提出基於介觀光學概念的GaN基發光器件的新構想。即從原理上將具有高效反饋、耦合輸出或傳輸的微、納結構運用於GaN基發光器件；從技術上發展一套適於將微納結構轉移到GaN電注入器件的研製技術；建立和完善表征手段，研究器件中光限制、反饋和傳輸機制及微腔物理和微光子學特性，研製出高效電注入基於介觀光學結構GaN基LED和GaN基雷射器的原型器件，為發展實用化的高效GaN基新型發光器件和未來光集成開闢一條新路。
