基區擴散隔離(Base diffusion isolation,BDI)是雙極型積體電路中所採用的一種隔離技術，它屬於p-n結隔離技術。
實際上是這樣來實現隔離的：在基區擴散的同時，形成一個隔離帶，並且在此隔離帶上加上一個大的反向電壓，使得隔離帶的耗盡層直達襯底。
基本介紹
- 中文名：基區擴散隔離
- 外文名：Base diffusion isolation,BDI
基區擴散隔離(Base diffusion isolation,BDI)是雙極型積體電路中所採用的一種隔離技術，它屬於p-n結隔離技術。
實際上是這樣來實現隔離的：在基區擴散的同時，形成一個隔離帶，並且在此隔離帶上加上一個大的反向電壓，使得隔離帶的耗盡層直達襯底。
基區擴散隔離(Base diffusion isolation,BDI)是雙極型積體電路中所採用的一種隔離技術，它屬於p-n結隔離技術。實際上是這樣來實現隔離的：在基區擴散的同時，形成一個隔離帶，並且在此隔離帶上加上一個...
1)過去的集電極是使用n型外延生長層,而CDI只是使用n+型擴散隱埋層。2)基區層過去是在集電極n型外延層上做P型擴散形成的,而在CD結構中卻是由P型外延層形。3)過去是使P型雜質一直擴散到矽襯底上來進行隔離,而在CDI中卻是把n型...
基區寬度為0.15微米，電阻是利用基極補償擴散的擴散電阻。布線電極使用了Al-Ni-Au三層結構(所謂TAMS電極)。隔離區多孔化工藝使用了P-型法。各元件同隔離區的間隔仍很寬，但這同PN結隔離情況不同，使用IPOS技術這個較寬的間隔本來是不...
在雙極型積體電路的版圖設計中，電阻通常是隨同電晶體的某一擴散工藝同時進行而製成擴散電阻的。原則上，不論發射區、基區和集電區（外延層)，都可以製作電阻。①基區硼擴散電阻:其薄層電阻值為 150～200歐左右，邏輯積體電路中的電阻...
隔離電容是集電極N型區與隔離槽或襯底P型區形成的PN結產生的電容。隔離和襯底接最低電位，所以這個電容就是集電極對地的寄生電容。擴散電阻的寄生電容是擴散電阻P型區與集電極外延層N型區產生的PN結電容，也屬無源寄生效應。這一PN結電容...
3、集電區收集電子 由於集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區...
電路中所有NPN倒相管之間無需隔離,縮小了晶片面積。以共基極接法的橫向電晶體PNP恆流源代替 DCTL電路中的擴散電阻，使功耗降低,面積縮小。IL電路的基本門，可方便地擴展成多個倒相輸出門而並不增加太多面積，只要在基本門的基區上擴展...