| 中文名稱 | 垂直梯度凝固法 |
| 英文名稱 | vertical gradient freeze method，VGF |
| 定 義 | 裝有物料的容器垂直置於爐中設定的相應溫度梯度部位，物料全熔後，從下部一端緩慢結晶並延續到上部一端的晶體生長方法。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
| 中文名稱 | 垂直梯度凝固法 |
| 英文名稱 | vertical gradient freeze method，VGF |
| 定 義 | 裝有物料的容器垂直置於爐中設定的相應溫度梯度部位，物料全熔後，從下部一端緩慢結晶並延續到上部一端的晶體生長方法。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
中文名稱 垂直梯度凝固法 英文名稱 vertical gradient freeze method,VGF 定義 裝有物料的容器垂直置於爐中設定的相應溫度梯度部位,物料全熔後,從下部一端緩慢...
VB法、坩堝下降法)可以說是一種生長GaAs 單晶的新方法,它綜合水平布氏法和液封直拉法的優點,可直接生長出完整性好的圓形GaAs單晶;以及還有垂直梯度凝固法(VGF法...
4.5.2熱交換法(HEM)2334.5.3梯度凝固法(GSM)2394.5.4垂直梯度凝固法(VGF)2414.5.5泡生法(kyropoulos法)2414.5.6水平法生長藍寶石2434.6導模法244...
鎢酸鉛微晶生長方法包括提拉法和坩堝下降法,垂直梯度凝固法。鎢酸鉛微晶合成方法 編輯 鎢酸鉛微晶合成方法包括沉澱法、水熱法、微乳液法、超聲輔助法和微波輔助法等...
通常採用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)製備化合物半導體單晶,用液相處延(LPE)、氣相處延(VPE)、分子束...
多採用布里奇曼法(由熔體生長單晶的一種方法)、液封直拉法、垂直梯度凝固法製備化合物半導體單晶,用外延法、化學氣相沉積法等製備它們的薄膜和超薄層微結構化合物...
20世紀60年代初的水平布里奇曼(Bridgman)方法(HB)和液封直拉法(LEC),以及後來發展起來的垂直梯度凝固法(VGF)和氣相外延(CVD)生長技術的發展,促進了化合物半導體...
主流的工業化砷化鎵生長工藝包括:直拉法(Cz法)、水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB法)以及垂直梯度凝固法(VGF法)等。以上方法各有優劣,除了實際工藝製備...
III-V族半導體化合物製備方法有以下幾種:液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC),水平區熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜製備方法有液相外延(LPE),...