基本介紹
- 中文名：在光場受限下強螢光半導體量子點光激射的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：徐嶺
- 依託單位：南京大學
- 批准號：10574069
- 申請代碼：A2207
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：32（萬元）
項目摘要
在現有的研究半導體量子點和可見光波段光子晶體的基礎上，用單分散的、尺寸與可見光波長相當的聚苯乙烯微米小球
（簡稱PS微球, 尺寸200至350nm）作模板，在矽或石英襯底上沉積II-VI族納米晶體，製備出高度有序、排列規整、人工反蛋白石opal，結構的二維或三維半導體量子點光子晶體薄膜，研究量子點在反蛋白石介電結構中光場受到限域時, 其光發射、光增益、受激輻射等現象。這種反蛋白石結構的量子點陣列薄膜，既保持了量子點在光子晶體的帶隙中自發輻射受到抑制，受激輻射模式可調控的優點，又避免了量子點直接嵌入的人工蛋白石晶體只具有贗光子帶隙以及光信號在此類光子晶體中衰損的弱點。這樣的量子點光子晶體可以製作高品質因子Q、單模、低閾值的諧振微腔，這在超高速的光電器件、納米光電系統、光運算和光通信等方面具有廣闊的套用前景。
