單晶鐵磁納米線系統中自旋角動量轉移的基礎研究

單晶鐵磁納米線系統中自旋角動量轉移的基礎研究

《單晶鐵磁納米線系統中自旋角動量轉移的基礎研究》是依託南京大學,由徐永兵擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:單晶鐵磁納米線系統中自旋角動量轉移的基礎研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:徐永兵
  • 依託單位:南京大學
項目摘要,結題摘要,

項目摘要

自旋角動量轉移(STT)效應是當今自旋電子學領域中最活躍的研究課題之一。自旋極化電流與納米線中磁疇壁里局域磁矩相互作用產生STT效應。此效應可以實現磁疇翻轉從而達到最基本的信息存儲目的。因此它可以套用在新的信息存儲器件開發上。本項目就是以磁單晶納米線系統為研究對象,主要從實驗的角度系統的探索STT效應,通過對單晶納米線中磁晶各向異性的調控,研究各向異性場對STT效應引起的磁疇結構、磁疇壁形態變化的規律;同時通過改變納米線厚度,調控軌道磁矩,研究電子軌道磁矩與自旋軌道耦合對STT效應和磁疇壁散射的貢獻。通過以上研究進一步理解磁納米線系統中STT的物理本質,促進STT理論發展,找到減小臨界電流密度的新途徑。為推動以STT原理設計的新一代磁存儲器件、磁邏輯門以及磁納米接觸感測器的開發做些積極的探索。

結題摘要

自旋角動量轉移(STT)效應是當今自旋電子學領域中最活躍的研究課題之一。它是指,自旋極化電流與納米線中磁疇壁中局域磁矩之間的一種相互作用。此效應可以通過外加電流,實現磁疇的翻轉,即在物理上實現邏輯”寫“的功能,因此在今後的信息存儲中具有非常廣泛的套用價值。本項目中,我們以磁性單晶納米線系統為研究對象,採用分子束外延、脈衝雷射沉積等薄膜生長手段,並且結合電子束曝光、離子束刻蝕等一系列微加工工藝,製備出了高質量的納米線結構;並進一步,通過磁光成像等設備,對疇壁的退釘扎過程進行直接成像式測量,實驗中我們成功觀測到,在電流驅動下,疇壁產生的震盪現象,並且發現這種震盪周期依賴於,非絕熱的自旋轉移因子和阻尼因子之間的比值;鑒於STT效應依賴於材料中的自旋軌道作用,而薄膜的軌道磁矩常常受到襯底的影響,為深刻理解這一現象,我們製備了多種外延異質薄膜結構,採用XMCD對磁性原子的軌道和自旋磁矩進行了直接測量,從而從實驗上確認了軌道磁矩增強的現象,這將為今後人工調控自旋軌道作用的強弱,積累了豐富的實驗數據。本項目執行過程中,共發表專業論文26篇。

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