《單個囚禁冷卻鈣離子的磁場效應》是依託中國科學院精密測量科學與技術創新研究院，由高克林擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：單個囚禁冷卻鈣離子的磁場效應
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：高克林
- 依託單位：中國科學院精密測量科學與技術創新研究院
- 批准號：10874205
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 申請代碼：A2102
- 支持經費：52（萬元）
- 負責人職稱：研究員
項目摘要
近年來，由於雷射冷卻、冷原子物理和鎖模飛秒雷射技術的發展，使進一步提高原子分子光譜的測量精度成為可能。囚禁冷卻單個離子為精密譜和新一代原子光頻標的研究提供了很好的原子體系。而在精密譜研究中，外界環境的效應是研究的重點，其中磁場的影響是至關重要的。在近期建立的單個囚禁冷卻鈣離子研究平台的基礎上，我們提出通過對雷射穩頻和離子動力學的研究，最佳化單離子的囚禁信號；實現對三維磁場的補償和精確控制，開展磁場大小和方向及雷射偏振等對雷射冷卻和螢光信號影響的研究；測量離子光頻躍遷的Zeeman譜；探索Hanle效應在囚禁離子精密譜中的套用等。從而探索測量和控制磁場的新方法，分析引起離子光頻躍遷頻移的磁場效應及克服方法，為提高單離子光頻標的性能奠定基礎。
