《周圍神經電損傷後形態結構和離子通道的改變》是依託中國人民解放軍第四軍醫大學，由李學擁擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：周圍神經電損傷後形態結構和離子通道的改變
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：李學擁
- 依託單位：中國人民解放軍第四軍醫大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：30672180
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 申請代碼：H1704
- 支持經費：28（萬元）
中文摘要
採用免疫組織化學技術、電鏡技術與電生理技術相結合的方法，對神經電損傷程度進行分類，著重觀察血管病變對神經形態及功能的影響以及雪旺氏細胞細胞動力學改變。在此基礎上，採用免疫螢光技術、膜片鉗技術、分子生物學技術對電損傷後周圍神經潰變與再生過程中脊髓背根神經節電壓門控性離子通道的基因表達、神經軸膜離子通道的數量、分布、膜電學參數變化進行檢測。並與形態結構和常規電生理結果相比較，著重研究電流對通道的損傷作用，以及離子通道的改變對神經潰變與再生的影響。以探索電損傷後周圍神經系統電壓門控型離子通道的變化規律，從膜上大分子功能蛋白的角度揭示神經電損傷的病理機制,為臨床預防與治療神經電損傷提供理論指導和實驗依據。
