吸收區倍增區分置雪崩光電二極體是2011年公布的材料科學技術名詞。
| 中文名稱 | 吸收區倍增區分置雪崩光電二極體 |
| 英文名稱 | separated absorption and multiplication region avalanche photodiode |
| 定 義 | 吸收與倍增區相互分離的雪崩光電二極體。在這種二極體中，入射光子首先被窄帶隙的吸收材料吸收，所產生的光生載流子被掃進寬頻隙的倍增區並在該區倍增。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體微結構材料及器件（三級學科） |
基本介紹
- 中文名：吸收區倍增區分置雪崩光電二極體
- 外文名：separated absorption and multiplication region avalanche photodiode
- 所屬學科：材料科學技術
- 公布年度：2011年
定義,出處,
定義
吸收與倍增區相互分離的雪崩光電二極體。在這種二極體中，入射光子首先被窄帶隙的吸收材料吸收，所產生的光生載流子被掃進寬頻隙的倍增區並在該區倍增。
出處
《材料科學技術名詞》。
