《含稀土的Ⅳ-Ⅵ族鉛鹽半磁半導體的研究》是依託吉林大學，由韓秀峰擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：含稀土的Ⅳ-Ⅵ族鉛鹽半磁半導體的研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：韓秀峰
- 依託單位：吉林大學
- 批准號：69406005
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：講師
- 研究期限：1995-01-01 至 1997-12-31
- 支持經費：8（萬元）
項目摘要
利用分子束外延方法生長出含稀土銪的鉛鹽半磁半導體Pb1-xEuxSe和Pb1-xEuxTe的單晶外延膜樣品，單晶外延膜為p型半導體，其室溫載流子濃度為5.0*10（17）cm（-3），室溫空穴遷移率為100cm（2）/Vs。磁性銪離子的磁矩接近7.0μB，與二價順磁性銪離子的磁矩相符合。在Pb1-xEuxSe的4.2K等溫磁化曲線及磁化率曲線中，可以觀測到磁化強度的階躍現象，並能給出發生階躍的臨界磁場。高於4.2K溫度後，銪離子在磁場下的磁行為更接近於順磁性離子，且磁化強度的階躍現象消失，表明Pb1-xEuxSe中銪離子之間的弱磁性交換相互作用強度J和單離子磁晶各向異性係數，具有不高於10K的數量級。磁性量理論的計算結果給出J的數值約為J/KB--10（-1）K。對Pb1-xEuxSe超低溫測試和研究是必要的。
