《反鐵磁隧道結隨機存取存儲器的研究》是依託哈爾濱理工大學,由李燕飛擔任項目負責人的重大研究計畫。
基本介紹
- 中文名:反鐵磁隧道結隨機存取存儲器的研究
- 項目類別:重大研究計畫
- 項目負責人:李燕飛
- 依託單位:哈爾濱理工大學
- 批准號:90207014
- 支持經費:2003-01-01 至 2005-12-31
- 申請代碼:F0122
- 研究期限:35(萬元)
- 負責人職稱:教授
《反鐵磁隧道結隨機存取存儲器的研究》是依託哈爾濱理工大學,由李燕飛擔任項目負責人的重大研究計畫。
《反鐵磁隧道結隨機存取存儲器的研究》是依託哈爾濱理工大學,由李燕飛擔任項目負責人的重大研究計畫。項目摘要研究電子計算機中新一代記憶體—隧道磁電阻隨機存取存儲單元;研究自旋相關磁隧道結的電阻、磁電阻及熱穩定性的物理機制,從而...
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因此,MTJs無論是作為讀出磁頭、各類感測器,還是作為磁隨機存儲器(MRAM),都具有無與倫比的優點,其套用前景十分看好,引起世界各研究小組的高度重視。效應物理 在磁隧道結(MTJ s)中,TMR效應的產生機理是自旋相關的隧穿效應。MTJ...
因此,MTJs無論是作為讀出磁頭、各類感測器,還是作為磁隨機存儲器(MRAM),都具有無與倫比的優點,其套用前景十分看好,引起世界各研究小組的高度重視。效應物理解釋 在磁隧道結(MTJ s)中,TMR效應的產生機理是自旋相關的隧穿效應。M...
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