原生多晶矽具有灰色金屬光澤。密度2.32-2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶於氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶於水、硝酸和鹽酸。硬度介於鍺和石英之間，室溫下質脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。
基本介紹
- 中文名：原生多晶矽
- 密度：2.32-2.34
- 熔點：1410 ℃
- 沸點：2355 ℃
化學性質,套用,
化學性質
常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料作用。
套用
具有半導體性質，是極為重要的優良半導體材料員察，但微量的雜質即可大大影響其導電性。電子工業中廣泛用於製造半導體收音機、錄音機、電冰櫃、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由乾燥矽囑廈遷粉與乾燥氯化氫氣體在一定條件下反應（氯化），再經冷凝、精餾、還原而得。 多晶矽是單質只辯匪矽的一種形態。多晶灑影循矽可作拉制單晶矽的原料，用於（是）半導體行業和太陽能。從目前來講，要使太陽能發電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，就必須提高太陽電池己獄紙希的光電轉換悼才達享效率，降低生產成本檔套全。
多晶矽技術指標：電阻率>100Ω·cm(N型），電阻率>1000Ω·cm(P型）；少子壽命>25μs;C<1ppma.
