基本介紹
個人簡介,研究領域：,主要論文,
個人簡介
主講過《光學》、《電磁場》、《電動力學》等本科生課程和《固體理論》、《表面與界面物理》等研究生課程。指導碩士研究生近20餘名。長期從事半導體物理研究，對諸如半導體表面界面、金屬/半導體複合體系、寬禁帶直接帶隙氮化物半導體異質結構等都做過較深入的研究並取得一些創新性研究成果。這些成果對積體電路技術的發展、光電子器件的改進等有一定的指導意義。在國內外學術刊物上發表論文100餘篇，其中70篇發表在國際著名刊物“Surface Science”、“J. Appl. Phys.”、 “Phys.Lett. A”上。研究成果引起國內外同行專家的關注。近年來承擔過2項國家自然科學基金項目、6項省自然科學基金及科技攻關項目。主講的《光學》課程獲河南省精品課程。
研究領域：
半導體物理，低維量子結構
主要論文
1 Adsorption of Co on Si(100) surface. Surf. Sci., 504(2002)37
2 Exciton states in wurtzite InGaN strained coupled quantum dots: Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization. J. Appl. Phys. 97(2005)083705
3. Exciton in wurtzite GaN/AlxGa1-xN coupled quantum dots. Journal of Luminescence, 118（2）（2006）139-146
4. Influence of the built-in electric field on luminescent properties in self-formed single InxGa1−xN/GaN quantum dots Physica E. 33 (2006)343-348
5．First-principles studies on the Au surfactant on polar ZnO surfaces Physics Letters A. 363 (2007) 327–331
6. Exciton states and interband optical transitions in ZnO/MgZnO quantum dots Journal of Luminescence, (2008.128: 1285-1290)
7．Hydrogenic impurity states in zinc-blende GaN/AlN coupled quantum dots Physics Letters A 372 (2008) 6420–6423
8. Electric field effect on the donor impurity states in zinc-blende symmetric InGaN/GaN coupled quantum dots Physics Letters A 374 (2009) 97–100
9. Barrier width dependence of the donor binding energy of hydrogenic impurity in wurtzite InGaN/GaN quantum dot J. Appl. Phys. 106（2009）094301
10. Electron and impurity states in GaN/AlGaN coupled quantum dots：Effects of electric field and hydrostatic pressure J. Appl. Phys. 108（2010）054307
11. Shallow-donor impurity in zinc-blende InGaN/GaN asymmetric coupled quantum dots: effect of electric field J. Appl. Phys. 107（2010）054305
12. Effects of applied electric field and hydrostatic pressure on donor impurity states in cylindrical GaN/AlN quantum dot J. Appl. Phys. 107（2010）014305
