《半極性小面InGaN量子阱結構生長與多色光合成研究》是依託華中科技大學，由汪連山擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：半極性小面InGaN量子阱結構生長與多色光合成研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：汪連山
- 依託單位：華中科技大學
- 負責人職稱：研究員
- 批准號：60776005
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 申請代碼：F0401
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
隨著以III族氮化物為代表的第三代半導體材料技術的突破，基於III族氮化物材料的發光二極體（LED）迅速商業化，為了進一步改進材料性能和探索材料新結構的製備方法，有必要加強與材料相關的基礎性問題的研究。這項研究以藍寶石為襯底利用小面控制外延側向生長技術實現（11-22）取向的半極性小面InGaN量子阱結構,通過最佳化生長條件，改善小面量子阱的發光效率。利用時間分辨和微光致發光譜揭示小面量子阱結構內的載流子複合發光行為。研究小面InGaN量子阱結構組分、阱寬、減弱的內電場對其發光性質的影響，闡述量子阱內的缺陷（如位錯）和發光機理之間的關係。利用阱寬和銦組分在小面上的起伏變化和不同組分的小面量子阱結構的重疊，實現發光波長剪裁和多色光合成，為將來實現多色光LED提供實驗基礎。
