《半導體近紅外光電子材料中的深能級缺陷》是依託廈門大學，由黃啟聖擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：半導體近紅外光電子材料中的深能級缺陷
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：黃啟聖
- 依託單位：廈門大學
- 批准號：69276025
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1993-01-01 至 1995-12-31
- 支持經費：3.5（萬元）
項目摘要
用深能級瞬態譜DLTS、深能級光電容譜PHCAP等方法，對兩種近紅外（1.5μm左右）半導體光電子材料，即高Cd組分的HgCdTe及InGeAsP/InP中的深能級缺陷進行實驗研究，著研究禁帶中央附近的深能級性質及其可能結構：（1）對Cd組分為0.50、0.60、0.65的實用HgCdTe光電器件，得到兩個位於禁帶中央附近，即導帶下0.4Eg及0.6Eg的深能級，其濃度低，電子俘獲截面10（-16）cm（2）。根據分析，它們可能來源於材料的本徵缺陷，即Hg間隙缺陷HgI和碲反位缺陷TeHg，（2）對用液相外延方法並與襯底InP匹配的InGaAsP P＋n結構面，得到位於導帶下0.1eV的淺能級，即為Te施主，部分樣品中出現濃度低，位於導帶下約0.6eV的深能級。上述表明，兩種實用器件均有較高質量，主要深能級濃度低。部分工作尚待今後繼續進行。
