《半導體超晶格中的量子輸運》是依託北京套用物理與計算數學研究所，由段素青擔任項目負責人的面上項目。
《半導體超晶格中的量子輸運》是依託北京套用物理與計算數學研究所，由段素青擔任項目負責人的面上項目。項目摘要半導體超晶格中的量子輸運是當今凝聚態物理學和材料科學基礎研究的前沿熱點之一。本項目組選擇其作為新的研究課題。研究內...
《半導體低維耦合納米結構的量子輸運研究》是依託北京套用物理與計算數學研究所，由段素青擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 半導體低維耦合納米結構是目前凝聚態物理密集研究的重要量子受限系統，兼有可控的量子受限、量子隧穿效應，物理內涵豐富，量子新效應層出不窮。本項目選擇耦合量子點、納米環結構為研究對象，...
《靜電場與時變電場驅動的半導體超晶格的輸運理論》是閻維賢所寫的理論物理畢業論文。副題名 外文題名 Transport theory of semiconductor superlattices driven by static and time-dependent electric fields 論文作者 閻維賢著 導師 趙憲庚,鄭偉謀研究員指導 學科專業 理論物理 學位級別 d 1998n 學位授予單位 中國科學...
半導體超晶格國家重點實驗室(中國科學院半導體研究所)研究領域 編輯 語音 實驗室在繼續保持低維量子體系、量子工程研究優勢的基礎上,不失時機地調整了實驗室研究方向和目標,向與量子信息學交叉的方向開拓,將實驗室研究方向定為:以低維半導體結構的物理研究為基礎,以低維量子體系中的新現象、新效應為主要研究...
它的主要研究對象是各種低維半導體材料與結構的電子性質，在電場、光照與磁場作用下的物理性質。彭英才編著的《低維半導體物理》主要介紹了半導體超晶格與量子阱、量子線、量子點與納米晶粒等低維體系的能帶特徵、電子狀態、量子效應、輸運性質、光學性質和磁學性質等。目錄 第一章 緒論 1．1 半導體超晶格與量子阱的...
近年來Guo等人針對該領域的一些核心問題，如:低維磁調製量子系統中的電子磁致輸運和自旋極化輸運作了較為系統的研究，取得了一系列具有創新意義的成果。先後提出了自旋過濾二極體和自旋過濾及電流雙重二極體的概念。探討了稀磁半導體異質結構及其超晶格結構中自旋輸運的電場效應、磁場效應、溫度效應、量子尺寸效應、層間耦合...
量子點間距是集合性能的決定因素之一，相鄰例子之間強耦合導致的隧穿效應幫助克服之間的庫倫阻塞，使得電荷離域性增強，輸運速率提高。目前，以距離為主要參數，探討密堆積體系中電子馳豫過程的研究相對較少。本項目以自行製備的半導體量子點-金屬納米粒子複合超晶格作為對象，通過壓力調節超晶格構建單元之間的空間距離，...
長期從事低維半導體物理理論研究，研究內容包括低維電子系統中的極化子、準二維電子系統的迴旋共振及磁場調製平面超晶格，並在國際專業物理期刊發表論文40餘篇，被他人引用500餘次。從事半導體自旋電子學基礎物理研究，主要研究低維半導體量子結構中的自旋及電荷的光學和輸運性質 代表論文 （1）X.G. Wu, L.J. Xu, ...
本項目研究半導體量子阱超晶格材料中激子（Excitons）在共振條件下的光學非局域回響特性。其中主要包括激子光學回響的非局域性對線性和非線性光學特性的影響，以及激子相干性與非局域性之間的內在聯繫。此項研究屬於光學與理論物理之間的交叉學科，發展空間和套用前景都很廣闊。 弄清半導體超晶格材料中激子光學回響的非局域...
通過本項目的研究，有望深入理解金屬納米結構中的量子輸運性質，得到一些新現象和新效應，為新型電子器件的研製開拓思路。結題摘要 金屬納米結構具有獨特的電學、光學以及磁學性質，研究其量子輸運性質對於發展新型電子器件具有重要的意義。本項目研究了金屬納米線、金屬介觀環、鐵磁金屬/半導體納米結構中對稱性與量子輸運...
夏建白所著的《半導體微納電子學》系統地介紹了半導體微納電子學領 域的最新進展、基本原理和實驗。在積體電路發展過程中，原有的經典理論 將不再適用，需要考慮量子修正，甚至完全用量子理論。本書第一部分(第1-3章)介紹小尺寸積體電路、共振隧穿器件和超晶格縱向輸運器件；第二部分(第4-5章)介紹平面量子點和...
5．4．4量子點超晶格結構的熱電效應 5．5Ⅱ型量子點 5．6量子點帶內躍遷 5．7微腔中量子點的光學性質 5．7．1微柱微腔 5．7．2微盤 5．7．3光子晶體微腔 參考文獻 第6章納米半導體結構材料的電學性質 6．1量子點的電學輸運性質 6．1．1橫向輸運性質 6．1．2垂直隧穿性質 6．2磁場中量子點的輸運...
這些因素使得石墨烯多層和超晶格中電子的能譜、手征性、Berry相及有效質量等性質相比於石墨烯單層有新的特點。而這些電子特性又將影響電子的輸運性質和光學過程，諸如最小電導率、量子Hall效應、反常弱局域化效應、自發磁化及磁光效應等可測量的物理現象將在石墨烯多層和超晶格中有新的表現形式。本申請課題將圍繞上面...
2.5.3晶格振動散射及其對遷移率的 影響 2.5.4其他散射機構 2.6半導體的電阻率及其與摻雜濃度和 溫度的關係 2.6.1半導體的電阻率 2.6.2電阻率與摻雜濃度的關係 2.6.3電阻率與溫度的關係 2.7強電場中的載流子輸運 2.7.1強電場效應 2.7.2熱電子與速度飽和 2.7.3負微分遷移率 2.7.4耿氏效應及其...
利用從量子力學基本原理出發的多種理論分析手段結合有效的物理模型的計算模擬，深入探討幾何修飾、化學修飾、尺寸效應、邊界效應等對載流子空間分布和輸運性質的影響。具體地，利用第一原理方法計算了若干矽基半導體納米材料，得到了一維矽應變超晶格的電子相圖；展示了鉍(111)薄膜的非平庸拓撲特性和碲(111)薄膜的拓撲和...
李樹深主要從事半導體低維量子結構中的器件物理基礎研究。提出了研究半導體耦合量子點（環）電子態結構的一種物理模型，理論上確定了半導體量子點可以吸收垂直入射光，發現了半導體量子點電荷量子比特真空消相干機制，發展了電子通過半導體量子點的量子輸運數值計算方法。承擔項目&成果獎勵 李樹深先後參加和主持國家八五、...
