半導體矽材料基礎

《半導體矽材料基礎》是2009年07月化學工業出版社出版的圖書，作者是尹建華。

基本介紹

• 書名：半導體矽材料基礎
• 作者：尹建華
• ISBN：9787122055231
• 定價：29.00 元
• 出版社：化學工業出版社
• 出版時間：2009年07月
• 開本：16開

內容簡介

《半導體矽材料基礎》系統地介紹了半導體矽材料的基本性質、與半導體晶體材料相關的晶體幾何學、能帶理論、微電子學方面的基礎理論知識，系統地介紹了作為光伏技術套用的矽材料的製備基礎理論知識，為系統學習多晶矽生產技術和單晶矽及矽片加工技術奠定理論基礎，是矽材料技術專業的核心教材。

《半導體矽材料基礎》可作為高職高專矽材料技術及光伏專業的教材，同時也可作為中專、技校和從事單晶矽生產的企業員工的培訓教材，還可供相關專業工程技術人員學習參考。

目錄

第1章概論1

11矽材料工業的發展1

12半導體市場及發展2

13中國擴建新建多晶矽廠應注意的問題3

本章小結5

習題5

第2章半導體材料基本性質6

21半導體材料的分類及性質6

22矽的物理化學性質8

23矽材料的純度及多晶矽標準10

本章小結11

習題12

第3章晶體幾何學基礎13

31晶體結構13

32晶向指數16

33晶面指數16

34立方晶體17

35金剛石和矽晶體結構19

36倒格子22

本章小結22

習題23

第4章晶體缺陷24

41點缺陷24

42線缺陷26

43面缺陷30

44體缺陷31

本章小結32

習題32

第5章能帶理論基礎33

51能帶理論的引入33

52半導體中的載流子35

53雜質能級36

54缺陷能級38

55直接能隙與間接能隙38

56熱平衡下的載流子39

本章小結45

習題45

第6章pn結46

61pn結的形成46

62pn結的製備47

63pn結的能帶結構48

64pn結的特性49

本章小結50

習題50

第7章金屬半導體接觸和MIS結構51

71金屬半導體接觸51

72歐姆接觸55

73金屬絕緣層半導體結構(MIS)56

本章小結57

習題57

第8章多晶矽材料的製取58

81冶金級矽材料的製取58

82高純多晶矽的製取59

83太陽能級多晶矽的製取61

本章小結62

習題62

第9章單晶矽的製備63

91結晶學基礎63

92晶核的形成65

93區熔法69

94直拉法72

95雜質分凝和氧污染80

96直拉矽中的碳85

97直拉矽中的金屬雜質86

98磁拉法(MCz)89

99CCz法(連續加料法)93

本章小結96

習題97

第10章其他形態的矽材料98

101鑄造多晶矽98

102帶狀矽材料110

103非晶矽薄膜112

104多晶矽薄膜116

本章小結118

習題119

第11章化合物半導體材料120

111化合物半導體材料特性120

112砷化鎵(GaAs)122

本章小結131

習題131

第12章矽材料的加工132

121切去頭尾132

122外徑滾磨133

123磨定位面(槽)134

124切片136

125倒角(或稱圓邊)139

126研磨140

127腐蝕142

128拋光144

129清洗148

本章小結150

習題151

附錄152

附錄1常用物理量152

附錄2一些雜質元素在矽中的平衡分凝係數、溶解度152

參考文獻153