《半導體的電子結構與性能》是2001年科學出版社出版的圖書，作者是(英)W.施羅特爾(Wolfgang Schroter)。
《半導體的電子結構與性能》是2001年科學出版社出版的圖書，作者是(英)W.施羅特爾(Wolfgang Schroter)。內容簡介本書共分11章，主要介紹了半導體中的能帶理論、光學性質和電輸運、半導體中的本徵點缺陷、半...
半導體的電子結構與性能（第4卷）《半導體的電子結構與性能（第4卷）》是科學出版的圖書，作者是[英] W.施羅特爾（Wolfgan）
目前我國半導體材料在這方面的發展背景來看，應該在很大程度上去提高超高亮度，紅綠藍光材料以及光通信材料，在未來的發展的主要研究方向上，同時要根據市場上，更新一代的電子器件以及電路等要求進行強化，將這些光電子結構的材料，在未來...
微波半導體 器件由於性能優異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導、電子戰等系統中已得到廣泛的套用 。分類 晶體二極體 晶體二極體的基本結構是由一塊 P型半導體和一塊N型半導體結合在一起形成一個 PN結。在PN結的交界面處，...
我們研究了鹵化物半導體材料的電子結構、缺陷性質，輸運及光學性質。我們發現ns2孤對電子對鹵化物激發態結構弛豫和光學性質有著重要的影響，拓展了其對能帶結構、載流子有效質量以及輸運性質影響的認識。我們初步掌握了此類材料的輸運及光學性質...
有機半導體是一種塑膠材料，其擁有的特殊結構讓其具有導電性。在現代電子設備中，電路使用電晶體控制不同區域之間的電流。科學家們對新的有機半導體材料進行了研究並探索了其結構與電學屬性之間的關係。實際運用 製備不同的半導體器件對...
電子顯微鏡、原子力顯微鏡和紅外光譜等跟蹤其在不同聚合物取向基質上的誘導結晶行為，明確不同有機共軛分子在不同取向基質上的分子附生或擬態附生結晶結構，在此基礎上，研究不同堆積體系的電荷轉移及導電性，建立有機共軛分子的結構和性能...
半導體製程有點像是蓋房子，分成很多層，由下而上逐層依藍圖布局迭積而成，每一層各有不同的材料與功能。隨 著功能的複雜，不只結構變得更繁複，技術要求也越來越高。與建築物最不一樣的地方，除了尺寸外，就是建築物是一棟一棟...
典型的半導體材料居於Ⅳ一A族，它們都具有明顯的共價鍵；都以金剛石型結構結晶；它們的帶隙寬度隨原子序數的增加而遞減，其原因是其鍵合能隨電子層數的增加而減小。V—A族都是某一種同素異形體具有半導體性質，其帶隙寬度亦隨原子序數...
3.3.1 ZnnOn（n=2～13）團簇的結構、穩定性和電子特性 39 3.3.2 Zn12O12團簇的結構和穩定性 41 3.3.3 Zn12O12團簇聚合的生長規律 42 3.3.4 基於Zn12O12團簇組裝材料的電子結構和性質 47 3.4 結論 49 參考文獻 49 ...
此外，在光電器件方面，1962年出現了砷化鎵(GaAs)雷射器，以後又發展成雙異質結雷射器，為光電子學開闢了新的領域。1962年，第一次成功地在矽表面上用SiO2作絕緣層製成了金屬-氧化物-半導體結構的絕緣柵場效應電晶體，簡稱MOS電晶體，...
2) 針對主要失效模式的器件設計技術。包括針對熱載流子效應、閂鎖效應等主要失效模式，合理設計器件結構、幾何尺寸參數和物理參數。3) 針對主要失效模式的工藝設計保障。包括採用新的工藝技術，調整工藝參數，以提高半導體積體電路晶片的可靠性...
但由於大型計算機的出現，需要高性能D-RAM的二十世紀八十年代，日本企業名列前茅。半導體晶片的製造材料 為了滿足量產上的需求，半導體的電性必須是可預測並且穩定的，因此包括摻雜物的純度以及半導體晶格結構的品質都必須嚴格要求。常見的品質...
另外，勢壘還必須足夠薄，保證自旋極化電子能隧穿到鐵磁電極，否則將會在半導體內弛豫。半導體電子自旋的控制和操縱 介紹了如何通過材料本身來控制和操縱自旋，在實際套用中，往往需要用光或電場來操縱自旋。非磁性半導體結構在外部光或電場...
結構 PN結兩端各引出一個電極並加上管殼，就形成了半導體二極體。PN結的P型半導體一端引出的電極稱為陽極，PN結的N型半導體一端引出的電極稱為陰極。半導體二極體按結構不同可分為點接觸型、面接觸型和平面型。點接觸型半導體二極體由一...
壓電半導體是指有壓電效應的半導體材料。在外加機械壓力下，隨著晶體結構、外形的變化，電學特性也發生變化，這種現象稱為正壓電效應；反之，當晶體加上個電壓時，其結構和外形也會隨之發生變化，這種現象稱為反壓電效應。利用壓電效應...
半導體晶片是在半導體片材上進行浸蝕，布線，製成的能實現某種功能的半導體器件，是電子產品的核心部件。本課程通過在虛擬環境中的設備拆解和共產漫遊來了解設備組成結構、生產狀態及晶片製造工藝過程，學習設備用途、結構、操作方式及實驗步驟...
絕緣體通常選擇使用其半導體的氧化物。特別的，把二氧化矽做在矽表面上的工藝是非常先進成熟的，由這種氧化物工藝形成的結構，叫做MOS（Metal-oxide-Semiconductor）結構。而且這種結構極其重要，可以用來研究半導體表面、整合電子電路或者和用於...
入射光在基區激發出電子---空穴時，形成基極電流，而集電極電流是基極電流β倍，因此光照便能有效地控制集電極電流。光電三極體比光電二極體有更高的靈敏度。圖表-30示出了光電三極體的結構和符號。光伏打器件 半導體PN結在受到光照射時能...
P型和N型半導體P型半導體是在本徵半導體(一種完全純淨的、結構完整的半導體晶體)摻入少量三價元素雜質,如硼等。 因硼原子只有三個價電子,它與周圍的矽原子形成共價鍵,因缺少一個電子,在晶體中便產生一個空位,當相鄰共價鍵上的電子獲...
其直接帶隙特性意味著當電子躍遷時，能量和動量守恆成立，這有助於提高光電子器件的效率。氮化鎵的電子結構還決定了它的電子遷移率和載流子傳輸性能，這對於器件的速度和功率特性至關重要。機械性質：氮化鎵具有較高的硬度，接近於藍寶石（...
