半導體低維量子體系中的雙激子特性研究

《半導體低維量子體系中的雙激子特性研究》是依託復旦大學,由黃大鳴擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:半導體低維量子體系中的雙激子特性研究
  • 依託單位:復旦大學
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:黃大鳴
  • 批准號:19874013
  • 申請代碼:A2002
  • 負責人職稱:教授
  • 研究期限:1999-01-01 至 2001-12-31
  • 支持經費:9(萬元)
項目摘要
本項目研究半導體量子阱中的雙激子特性,主要內容包括雙激子在低維量子體系中的束縛特性,量子限制特性,空間局域特性,以及電場和非線性效應。研究結果可以增進人們對低維量子體系中的無激發以及相互作用本質的認識,可為雙激子的特徵光譜用於半導體低維材料的表征提供科學依據,並為新的半導體雷射和非線性材料的探索和機理有機提供物理基礎。.

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