| 中文名稱 | 化合物雪崩光電二極體 |
| 英文名稱 | compound avalanche photo-diode |
| 定 義 | 利用光生載流子在二極體耗盡區內受高電場作用產生雪崩效應製備的二極體。其有源區為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體微結構材料及器件（三級學科） |
| 中文名稱 | 化合物雪崩光電二極體 |
| 英文名稱 | compound avalanche photo-diode |
| 定 義 | 利用光生載流子在二極體耗盡區內受高電場作用產生雪崩效應製備的二極體。其有源區為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體微結構材料及器件（三級學科） |