《功率半導體器件穩態濕熱高壓偏置試驗》是2019年12月27日實施的一項行業標準。
基本介紹
- 中文名：功率半導體器件穩態濕熱高壓偏置試驗
- 外文名：High Voltage Bias Steady-state Temperature Humidity Test for Power Semiconductor Devices
- 標準編號：T/IAWBS 009—2019
- 發布日期：2019年12月27日
- 實施日期：2019年12月31日
起草人,起草單位,適用範圍,技術內容,
起草人
張瑾、仇志傑、寧圃奇、陸敏、李堯聖、陳艷芳、魏躍遠、王澤興、潘志堅、冷軼群、劉禕晨、林雪如。
起草單位
中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟、中國科學院電工研究所、全球能源網際網路研究院有限公司、北京新能源汽車技術創新中心有限公司、深圳吉華微特電子有限公司。
適用範圍
本標準給出了非氣密封裝的功率半導體器件，包含但不限於絕緣柵雙極電晶體、場效應電晶體、二極體的穩態濕熱高壓偏置試驗方法，用以評價器件在高溫高濕環境下耐受高電壓的可靠性。 本標準適用於矽半導體器件以及寬禁帶半導體器件。
技術內容
高溫高濕反偏測試是考核器件在高溫高濕偏壓條件下的耐久性的一項可靠性試驗，其主要的失效機理為與濕度相關的腐蝕、電化學效應引起的阻斷能力下降、漏電升高。通常情況下，該項測試採用的阻斷電壓較低，如 AEC-Q101中規定偏置電壓不超過100V。採用較低偏置電壓的原因在於行業內普遍認為，阻斷電壓過高引起的較大的漏電流會導致器件的自加熱，影響濕氣進入封裝內部。然而，近幾年的研究成果及在實際使用過程中發現，功率器件在高溫高濕環境下承受高偏壓時失效率明顯要更高，現有測試方法已不再滿足器件高溫高濕耐久性的驗證需求。同時，高溫高濕反偏測試涉及到溫度、濕度、偏壓三種應力，而這三種應力的施加方式在AEC-Q101中並未進行詳細規定。
本項目通過深入研究高溫高濕反偏測試中，不同封裝器件抵禦濕氣進入的能力，以及施加高電壓對於測試方法的影響，對檢測方法和要求進行更具針對性和更為詳盡的規定和說明，從而建立一套更為嚴謹的用以評價非氣密封裝的功率半導體器件在高溫高濕環境下耐受高電壓的可靠性的檢測標準。
