冉廣照

冉廣照，教授、博士生導師。主研究方向：分子半導體：材料，器件及物理。

基本介紹

• 中文名：冉廣照
• 國籍：中國
• 專業方向：分子半導體：材料，器件及物理 
• 職務：教授

人員介紹

冉廣照，教授、博士生導師。

主講課程：

• 半導體雷射物理學
  
• 近代物理實驗
  

主研究方向

• 分子半導體：材料，器件及物理
  
• 納米半導體：材料，器件及物理
  
• 矽光子學：矽基發光與雷射
  

主要獲獎：

• 2005年 北京市科學技術一等獎（排名三）
  
• 2007年 國家自然科學二等獎 （排名二）項目：氧化矽納米矽體系的發光及物理機制
  

代表論文：

1. Zhao WQ, Ran GZ, Xu WJ, et al.Passivated p-type silicon: Hole injection tunable anode material for organic light emission, APPLIED PHYSICS LETTERS 92, 073303 Published: FEB 18 2008
   
2. Ran GZ, Wu ZL, Ma GL, et al. Improvement of the charge imbalance caused by the use of a p-type silicon anode in an organic light-emitting diode CHEMICAL PHYSICS LETTERS 400, 401-405 DEC 21 2004
   
3. Ran GZ, Chen Y, Qin WC, et al.Room-temperature 1.54 um electroluminescence from Er-doped silicon-rich silicon oxide films deposited on n(+)-Si substrates by magnetron sputtering JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 90, 5835 DEC 1 2001