《具有單擴散中斷的鰭式場效應電晶體及方法》是格芯公司於2018年2月8日申請的專利，該專利公布號為CN108878535B，專利公布日為2021年6月8日，發明人是王海艇、趙薇、宇宏、吳旭升、臧輝、胡振宇。
基本介紹
- 中文名：具有單擴散中斷的鰭式場效應電晶體及方法
- 授權公告號：CN108878535B
- 授權公告日 ：2021.06.08
- 申請號：2018108626539
- 申請日：2018.02.08
- 專利權人：格芯公司
- 地址：英屬開曼群島大開曼島
- 發明人：王海艇; 趙薇; 宇宏; 吳旭升; 臧輝; 胡振宇
- Int. Cl.：H01L29/78(2006.01)I; H01L21/8234(2006.01)I; H01L21/336(2006.01)I
- 專利代理機構：北京戈程智慧財產權代理有限公司11314
- 代理人：程偉; 王錦陽
- 優先權：15/589,292 2017.05.08 US
- 分案原申請：2018101280722 2018.02.08
對比檔案,專利摘要,
對比檔案
CN 104681557 A,2015.06.03; CN 106158746 A,2016.11.23; US 2015357409 A1,2015.12.10; US 2016111320 A1,2016.04.21; US 2009152589 A1,2009.06.18; US 2016043170 A1,2016.02.11
專利摘要
本發明涉及具有單擴散中斷的鰭式場效應電晶體及方法，揭示一種包括至少一個鰭式場效應電晶體及至少一個單擴散中斷(SDB)型隔離區的半導體結構，以及形成該半導體結構的方法。在該方法中，在半導體鰭片內的隔離區上方形成隔離凸塊並在該凸塊上形成側間隙壁。在用以降低該凸塊的高度並自該鰭片的側壁移除隔離材料的蝕刻工藝期間，該側間隙壁防止橫向蝕刻該凸塊。在用以在該鰭片中形成源/漏凹槽的蝕刻工藝期間，該側間隙壁保護鄰近該隔離區的該半導體材料。因此，各凹槽的側及底部包括半導體表面並最大限度地降低其中所形成的外延源/漏區的頂部表面的角度，從而最大限度地降低未著陸源/漏接觸的風險。
