由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料學分會兩家單位共同主辦,每兩年一屆,全國性半導體學術會議。
基本介紹
- 中文名:全國寬禁帶半導體學術會議
- 外文名:National wide band gap semiconductor Conference
- 別名:WBSC
- 召開時間:每兩年一屆
- 會議性質:全國性學術會議
由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料學分會兩家單位共同主辦,每兩年一屆,全國性半導體學術會議。
由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料學分會兩家單位共同主辦,每兩年一屆,全國性半導體學術會議。簡介近年來,寬禁帶半導體已成為全球高技術領域競爭戰略制高點之一,國際半導體及材料領域研究和發展的熱點...
沈波,中國國籍,1963年7月出生於江蘇省揚州市,教授、博士生導師、國家傑出青年基金獲得者。現任北京大學物理學院副院長、寬禁帶半導體研究中心副主任、北京大學理學部副主任。人物經歷 1963年7月出生於江蘇省揚州市;1985年7月畢業於南京...
寬禁帶半導體是指其禁頻寬度大於Si、GaAs等半導體的一類半導體,主要包括Ⅲ族氮化物、金剛石、ZnO、SiC等。它們的微結構、光學性質和電學性質有許多與Si、GaAs不同的特有性質。近十年來,以Ⅲ族氮化物為代表的寬禁帶半導體材料與器件發展...
實驗室重點開展寬頻隙(寬禁帶)半導體材料與器件的套用基礎研究。實驗室是西安電子科技大學國家積體電路人才培養基地、微電子學與固體電子學國家重點學科和211”工程 重點建設學科的重要支撐。基本條件 學術委員會 學術委員會的主要職責:審議...
寬禁帶半導體與微納電子學創新引智基地匯聚了以GaN為代表的在寬禁帶半導體材料與器件研究方面被譽為世界級大師的英國劍橋大學Colin Humphreys教授為海外學術大師以及加拿大麥克瑪斯特大學M.Jamal Deen院士和美國羅格斯大學Jianhui Zhang教授等學術...
價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶或帶隙。所以禁帶的寬度實際上反映了被束縛的價電子要成為自由電子所必須額外獲得的能量。矽的禁頻寬度為1.12電子伏特(eV),而寬禁帶半導體材料是指禁頻寬度在2.3eV及以上的半導體...
寬禁帶半導體國家工程研究中心 寬禁帶半導體國家工程研究中心,位於陝西省。所獲榮譽 2022年5月,被評選為2022年科學家精神教育基地,序號第124。
5. 2019年全國寬禁帶半導體學術會議組委會委員兼秘書長。 6. 英國皇家物理學會IOP旗下期刊Nano Express 編輯 (Editorial Board Member)。7. SCI期刊《Microelectronic Engineering》客座編輯。8. SCI期刊《Journal of Nanomaterials...