《光調節磁自旋閥材料的研究與製備》是依託上海交通大學，由王輝擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：光調節磁自旋閥材料的研究與製備
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：王輝
- 依託單位：上海交通大學
- 批准號：60378028
- 申請代碼：F0509
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：23（萬元）
項目摘要
通過共聚焦摻雜濺射及分子束外延，設計製備夾層結構磁自旋閥，中介層主要選擇：1. 具有光敏特性的GaAs/AlxGa1-xAs半導體pn結薄膜（光可以控制pn結中間耗散層產生的載流子對的濃度）；2：對偏振光敏感的n-GaAs等施主型半導體薄膜（圓偏振光入射施主摻雜半導體，能在半導體內產生自旋極化現象）3：室溫下的具有一定的光學透明性的摻雜金屬氧化物（例如半磁半導體薄膜，光對其局域磁矩有影響），通過選
