《光控微波振盪器光接收機中APD和GaAs放大器研究》是依託上海交通大學，由孫詩瑛擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：光控微波振盪器光接收機中APD和GaAs放大器研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：孫詩瑛
- 依託單位：上海交通大學
- 批准號：69171038
- 申請代碼：F0119
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1992-01-01 至 1995-12-31
- 支持經費：4（萬元）
項目摘要
發表論文22篇完成軟體6個。（一）、光控介質諧振腔GaAs場效應振盪器分三部分研究：A.首次用變分法推導出計算園柱形介質腔諧振頻率的解析表達式，屬國際創新，計算結果與國外文獻一致。首次提出用邊界元法解三維電磁場問題，推導出橢圓柱介質腔邊界元法計算式，對積分計算中遇到高階極點問題提出解決辦法。B.研製成介質腔穩頻GaAs場效應振盪器。C.研究了矽片及GaAs片。（二）、光接收機前端分二部分研究：A.研製成雪崩光電探測器基礎上，首次測出訊號功率和噪聲功率與倍增因子關係曲線，由此得出結論希望得到高信噪比不宜選高雪崩增益。B研製成寬頻微波場效應放大器，採用新的拓樸類型。（三）、首次提出將非對稱微帶電極用於行波型倒相結構光波導調製器。
