低維量子結構中自旋電子輸運理論研究

低維量子結構中自旋電子輸運理論研究

《低維量子結構中自旋電子輸運理論研究》是依託河北師範大學,由劉建軍擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:低維量子結構中自旋電子輸運理論研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:劉建軍
  • 依託單位:河北師範大學
  • 批准號:10674040
  • 申請代碼:A2003
  • 負責人職稱:教授
  • 研究期限:2007-01-01 至 2008-12-31
  • 支持經費:20(萬元)
項目摘要
納米科學是近年來發展的一門前沿學科。根據磁性納米材料的性質製備的磁性讀寫存儲器,具有高速的讀寫性能(SRAM)和大容量的數據儲存能力(DRAM)。它的研製和開發將以指數倍提高目前計算機的讀寫速度和存儲空間,在工業上有巨大的經濟效益。.我們根據散射矩陣理論、模匹配技術中的傳遞矩陣方法以及非平衡態統計理論,對納米材料中的自旋電子特性進行模擬,主要研究正常金屬、半導體和鐵磁金屬等材料組成的小量子納米結構

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