低維半導體結構的電子態和光學性質研究

《低維半導體結構的電子態和光學性質研究》是依託廈門大學，由黃美純擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：低維半導體結構的電子態和光學性質研究
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：黃美純
• 依託單位：廈門大學
• 負責人職稱：教授
• 批准號：19674045
• 申請代碼：A2004
• 研究期限：1997-01-01 至 1999-12-31
• 支持經費：10（萬元）

項目摘要

採用第一性原理總能方法配合kp及緊束縛方法預言了一組ⅢⅤ、ⅡⅥ與Ⅳ族半導體組成的2維超晶格材料的光學性質。研究表明它們具有直接帶隙特徵特別適合於光電子器件的開發從頭贗勢法對矽鍺碳/矽應變異質界面的電子結構首次進行了系統的能帶工程研究。揭示了碳的應變補償效應和對矽鍺合金帶隙和價帶帶階的調製效應。這兩組成果可直接套用於光電子材料和器件的設計和開發。用嚴格的數學方法論證並建立了光信息處理中的分數變換理論，導出任何維數下的分數富氏變換在幾種坐標系下的積分和級數表示，定義了兩個特殊的漢氏變換，給出分數漢氏變換的運算元和積分表示及其性質。發展了快速計算漢氏變換的新途徑和新方法並給出光學套用的實例。