《低溫多晶矽(LTPS)顯示技術》是2006年科學出版社出版的圖書，作者是陳志強。
基本介紹
- 中文名：低溫多晶矽(LTPS)顯示技術
- 作者：陳志強
- 出版時間：2006年4月
- 出版社：科學出版社
- ISBN：7030169344
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
本書從低溫多晶矽基本特徵、可靠性、製備工藝到低溫多晶矽面板開發現狀與遇到的挑戰，分三部分進行了介紹，第1部分LTPS結構，第2部分低溫多晶矽技術開發與現狀，第3部分新一代顯示技術開發。
圖書目錄
第1章 緒論——低溫多晶矽的時代
1.1 概述
1.2 平面顯示器的分類
1.3 低溫多晶矽開發歷史
1.4 低溫多晶矽的優勢
1.4.1 高清晰度與高開口率
1.4.2 電磁干擾
1.4.3 周邊驅動IC
1.4.4 低功率消耗
1.4.5 窄框化與高集成度
第2章 低溫多晶矽特性與結構
2.1 概述
2.2 LTPS 薄膜電晶體的特性
2.2.1 特性曲線
2.2.2 等效載流子遷移率
2.2.3 閾值電壓
2.2.4 亞閾值擺幅
2.2.5 漏電流
2.3 低溫多晶矽像素的結構
2.3.1 八次光刻的倒柵工藝流程
2.3.2 九次光刻的頂柵工藝流程
2.3.3 五次光刻的頂柵工藝流程
2.3.4 內建電路架構
第3章 低溫多晶矽的可靠性
3.1 概述
3.2 LTPS 器件可靠性
3.2.1 熱載流子效應
3.2.2 動態可靠性測試
3.2.3 短溝道效應
3.2.4 窄溝道效應
3.2.5 駝峰效應
3.2.6 扭曲效應
3.2.7 自發熱效應
3.2.8 低頻噪聲特性
3.2.9 輻射效應
3.3 LTPS 陣列可靠性
3.3.1 靜電泄放傷害
3.3.2 環境與工藝過程中的ESD防護
3.3.3 陣列與內建電路的防護
3.4 陣列測試
3.4.1 接觸式測試
3.4.2 非接觸式測試
3.4.3 陣列修補
第4章 LTPS 氧化層技術
4.1 概述
4.2 玻璃基板
4.2.1 玻璃種類
4.2.2 玻璃特性
4.3 緩衝層
4.4 柵絕緣層
4.4.1 氧化矽層
4.4.2 氮化矽層
4.4.3 其他柵氧化層
4.4.4 表面粗糙度
4.4.5 清洗技術
4.5 層間絕緣層
4.5.1 上部透明導電電極結構
4.5.2 平坦化工藝
4.5.3 氫化工藝
第5章 LTPS多晶矽成膜技術
5.1 概述
5.2 直接澱積型多晶矽
5.2.1 觸媒式化學氣相澱積
5.2.2 矽濺射工藝
5.3 再結晶型多晶矽
5.3.1 固相晶化
5.3.2 金屬誘導橫向晶化法
5.3.3 準分子雷射晶化
5.4 雷射晶化系統
5.4.1 準分子雷射源
5.4.2 光學與基板承載系統
5.5 多晶矽成膜機制
5.5.1 部分熔融區
5.5.2 接近完全熔融區
5.5.3 完全熔融區
5.6 晶化質量的提升
5.6.1 重疊照射
5.6.2 非晶矽厚度
5.6.3 抗反射層
5.6.4 晶化氣氛與溫度
5.6.5 分析工具
5.7 下一代多晶矽技術
5.7.1 循序性橫向晶化
5.7.2 固態雷射晶化
5.7.3 連續波雷射橫向晶化
5.7.4 選擇性擴大雷射晶化
5.7.5 連續矽晶界
第6章 LTPS離子注入技術
6.1 概述
6.2 顯示器用注入系統
6.2.1 質量分析式離子注入
6.2.2 離子云式注入機
6.2.3 電漿注入與固態擴散式
6.3 漏極與源極端摻雜
6.3.1 氫含量的影響
6.3.2 反型注入
6.3.3 交叉污染
6.3.4 光刻膠碳化效應
6.4 輕摻雜漏極
6.4.1 高能量注入
6.4.2 低電流注入
6.5 溝道摻雜
6.6 離子激活工藝
6.6.1 雷射激活法
6.6.2 快速熱退火激活法
6.6.3 高溫熱爐管激活法與自激活法
第7章 低溫多晶矽面板開發現況
7.1 概述
7.2 日本低溫多晶矽的開發
7.2.1 東芝（TOSHIBA）
7.2.2 松下（MATSUSHITA）
7.2.3 三洋（SANYO）
7.2.4 索尼（SONY）
7.2.5 夏普（SHARP）
7.2.6 精工愛普生（SEIKO-EPSON）
7.2.7 富士通（FUJITSU）
7.2.8 日立（ HITACHI）
7.2.9 日本電器（NEC）
7.2.10 三菱（MITSUBISHI）
7.3 韓國低溫多晶矽的開發
7.3.1 LG-Philips
7.3.2 SAMSUNG
7.4 台灣低溫多晶矽的開發
第8章 低功耗顯示技術
8.1 概述
8.2 功率消耗
8.3 薄膜二極體顯示器
8.3.1 MIM 二極體的原理與結構
8.3.2 TFD 二極體的原理與結構
8.3.3 二極體面板的驅動方式
8.4 反射式液晶顯示器
8.4.1 反射板設計
8.4.2 外部補償設計
8.4.2 外部補償設計
8.5 半透式液晶顯示器
8.5.1 比例設計
8.5.2 彩色濾光片設計
8.5.3 背光與組裝模組
8.6 省電設計
8.6.1 嵌入式SRAM
8.6.2 嵌入式DRAM
第9章 大面積低溫多晶矽的挑戰
9.1 概述
9.2 大面積玻璃基板
9.2.1 電阻-電容時間延遲
9.2.2 無接縫技術
9.3 前段陣列工藝
9.3.1 低阻值引線技術
9.3.2 微細加工工藝
9.3.3 刻蝕工藝
9.4 後段液晶模組
9.4.1 液晶滴注法
9.4.2 集成式黑色矩陣
9.4.3 集成間隔體
9.4.4 集成彩色濾光片
9.4.5 背光模組
9.4.6 廣視角
9.5 畫面驅動系統
9.5.1 過激勵驅動
9.5.2 背光源驅動
9.6 大面積有源矩陣平面影像感測器
9.6.1 數字X 射線攝像技術
9.6.2 間接式檢測
9.6.3 直接式檢測
9.6.4 信號存儲與讀取電路
第10章 有源有機電致發光顯示技術
10.1 概述
10.2 AMOEL的歷史
10.3 AMOEL驅動方式
10.3.1 無源OEL
10.3.2 低溫多晶矽AMOEL
10.3.3 非晶矽AMOEL
10.3.4 單晶矽AMOEL
10.4 AMOEL彩色化與製造流程
10.4.1 熱蒸鍍法
10.4.2 旋轉塗布法
10.4.3 噴墨印刷法
10.4.4 彩色濾光片
10.4.5 色轉換法
10.5 陰陽電極特性
10.5.1 陽極材料
10.5.2 表面處理
10.5.3 底層表面形態
10.6 OEL 面板可靠性
10.6.1 封裝技術
10.6.2 乾燥材料
10.7 有機發光二極體驅動設計
10.7.1 下部發光型像素
10.7.2 上部發光型像素
10.7.3 模擬驅動設計
10.7.4 數字驅動設計
第11章 可彎曲低溫多晶矽顯示技術
11.1 概述
11.2 玻璃基板的限制
11.2.1 塑膠基板特性
11.2.2 基板形變
11.2.3 可彎曲的顯示媒介
11.3 可彎曲有源器件
11.3.1 薄膜二極體
11.3.2 非晶矽電晶體
11.3.3 有機薄膜電晶體
11.4 可彎曲的低溫多晶矽
11.4.1 低溫緩衝層
11.4.2 多晶矽形成
11.4.3 低溫氧化層
11.4.4 離子注入與激活
11.4.5 低溫透明導電電極
11.5 塑膠基板轉貼技術
11.5.1 SUFTLA轉貼技術
11.5.2 基板刻蝕與塑膠貼合技術
11.5.3 流動式自行組裝
第12章 低溫多晶矽的未來
12.1 低溫多晶矽技術藍圖
12.2 低溫多晶矽的挑戰
12.3 結語
附錄 半導體設備暨材料協會（SEMI）標準
